Transistorer

Kanaltyp: N. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Power MOSFET. Id(imp): 40Ap. ID (T=100°C): 5.2A. ID (T=25°C): 6.2A. Idss (max): 20uA. IDss (min): 1uA. Antal terminaler: 8. Pd (effektförlust, max): 3W. Resistans Rds På: 0.026 Ohms. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 52 ns. Td(på): 12.5 ns. Teknik: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET. Hölje: SO. Hölje (enligt datablad): SO-8. Driftstemperatur: -55...+175°C. Spänning Vds(max): 80V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. Antal per fodral: 1. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

Kanaltyp: N-P. Antal terminaler: 8. Pd (effektförlust, max): 1.2W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Teknik: D-S-MOSFET. Hölje: SO. Hölje (enligt datablad): SO-8. Antal per fodral: 2. Funktion: IDM--20App, td(on)--12&8nS, td(off)--23&21nS

RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS, P-MOS. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SO8. Kapsling (JEDEC-standard): MS-012. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 8. Tillverkarens märkning: SI4532ADY-T1-E3. Drain-source spänning Uds [V]: 30V/-30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3.7A/-3A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.053 Ohms/0.08 Ohms @ 4.9/-3.9A. Gate haverispänning Ugs [V]: 4.5V/-4.5V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 12 ns/8 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 23/21 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 500pF. Maximal förlust Ptot [W]: 1.13W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

C(tum): 340pF. Kostnad): 67pF. Kanaltyp: N-P. Trr-diod (Min.): 30 ns. IDss (min): 1uA. Antal terminaler: 8. Pd (effektförlust, max): 1uA. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Teknik: D-S-MOSFET. Hölje: SO. Hölje (enligt datablad): SO-8. Antal per fodral: 2. Funktion: IDM--24&15App, td(on)--7.5&5.5nS, td(off)--14&17nS. Avloppsskydd: NINCS. G-S Skydd: NINCS

RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS, P-MOS. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SO8. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 8. Tillverkarens märkning: SI4532CDY-T1-E3. Drain-source spänning Uds [V]: 30V/-30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 5.2A/-3.4A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.065 Ohms/0.14 Ohms @ 5.2/-3.4A. Gate haverispänning Ugs [V]: 4.5V/-4.5V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 11 ns/10 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 25/30 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 305/340pF. Maximal förlust Ptot [W]: 1.14W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

Kanaltyp: N-P. Antal terminaler: 8. Pd (effektförlust, max): 2W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Teknik: D-S-MOSFET. Hölje: SO. Hölje (enligt datablad): SO-8. Antal per fodral: 2. Funktion: IDM--30&30App, td(on)--6&7nS, td(off)--30&40nS

Kanaltyp: N-P. Antal terminaler: 8. Pd (effektförlust, max): 2W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Teknik: D-S-MOSFET. Hölje: SO. Hölje (enligt datablad): SO-8. Antal per fodral: 2. Funktion: IDM--20&20App, td(on)--6&13nS, td(off)--18&47nS

RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS, P-MOS. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SO8. Kapsling (JEDEC-standard): MS-012. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 8. Tillverkarens märkning: SI4559EY. Drain-source spänning Uds [V]: 60V/-60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 4.5A/-3.1A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.055 Ohms/0.075 Ohms @ 4.5/-3.9A. Gate haverispänning Ugs [V]: 4.5V/-4.5V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 13 ns/8 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 36/12ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 1000pF. Maximal förlust Ptot [W]: 2.4W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +175°C

Kanaltyp: N. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 40Ap. ID (T=100°C): 5A. ID (T=25°C): 6.5A. Idss (max): 5uA. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: 4800B. Antal terminaler: 8. Pd (effektförlust, max): 1.3W. Resistans Rds På: 0.0155 Ohms. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 32 ns. Td(på): 7 ns. Teknik: TrenchFET ® Power MOSFET Reduced Qg. Hölje: SO. Hölje (enligt datablad): SO-8. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 30 v. Port-/källspänning Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 1.8V. Vgs(th) min.: 0.8V. Antal per fodral: 1. Funktion: Snabb växling, Power MOSFET. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

C(tum): 2000pF. Kostnad): 260pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 30 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 50A. ID (T=100°C): 9.9A. ID (T=25°C): 12.4A. Idss (max): 5uA. IDss (min): 1uA. Antal terminaler: 8. Pd (effektförlust, max): 2.5W. Resistans Rds På: 0.0074 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 25 ns. Td(på): 25 ns. Teknik: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET. Hölje: SO. Hölje (enligt datablad): SO-8. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 40V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. Antal per fodral: 1. Avloppsskydd: NINCS. G-S Skydd: ja

Kanaltyp: P. Trr-diod (Min.): 60 ns. ID (T=100°C): 5.7A. ID (T=25°C): 7.1A. Idss (max): 7.1A. IDss (min): 1uA. Antal terminaler: 8. Pd (effektförlust, max): 1uA. Resistans Rds På: 0.02 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Teknik: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET. Hölje: SO. Hölje (enligt datablad): SO-8. Spänning Vds(max): 30 v. Antal per fodral: 2. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

Kanaltyp: P. ID (T=100°C): 5.9A. ID (T=25°C): 7.3A. Idss (max): 7.3A. Antal terminaler: 8. Pd (effektförlust, max): 5W. Resistans Rds På: 0.024 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Teknik: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET. Hölje: SO. Hölje (enligt datablad): SO-8. Spänning Vds(max): 30 v. Antal per fodral: 2. Funktion: td(on) 10ns, td(off) 45ns

RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SO8. Kapsling (JEDEC-standard): MS-012. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 8. Drain-source spänning Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 5.5A. Gate haverispänning Ugs [V]: 3V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 30 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 30 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 840pF. Maximal förlust Ptot [W]: 2.6W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +175°C. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0,052 Ohm @ 4,7A. Tillverkarens märkning: SI4946BEY-T1-E3

RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SO8. Kapsling (JEDEC-standard): MS-012. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 8. Tillverkarens märkning: SI4946EY-T1-E3. Drain-source spänning Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 4.5A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.055 Ohms @ 4.5A. Gate haverispänning Ugs [V]: 3V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 20 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 60 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 1000pF. Maximal förlust Ptot [W]: 2.4W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +175°C

Kanaltyp: P. ID (T=25°C): 2.4A. Idss (max): 2.4A. Antal terminaler: 8. Pd (effektförlust, max): 1.4W. Resistans Rds På: 0.10 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 50 ns. Td(på): 10 ns. Teknik: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET. Hölje: SO. Hölje (enligt datablad): SO-8. Driftstemperatur: -55...+175°C. Spänning Vds(max): 60V. Antal per fodral: 2. Konditioneringsenhet: 2500

RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, P-MOS. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SO8. Kapsling (JEDEC-standard): MS-012. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 8. Tillverkarens märkning: SI4948BEY-T1-GE3. Drain-source spänning Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3.1A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.12 Ohms @ -3.1A. Gate haverispänning Ugs [V]: -3V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 15 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 75 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 800pF. Maximal förlust Ptot [W]: 2.4W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +175°C

C(tum): 600pF. Kostnad): 70pF. Kanaltyp: P. Trr-diod (Min.): 30 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 30A. ID (T=100°C): 3.8A. ID (T=25°C): 4.7A. Idss (max): 10nA. IDss (min): 1nA. Antal terminaler: 8. Pd (effektförlust, max): 3.2W. Resistans Rds På: 0.10 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 35 ns. Td(på): 10 ns. Teknik: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET. Hölje: SO. Hölje (enligt datablad): SO-8. Driftstemperatur: -55...+175°C. Spänning Vds(max): 60V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1V. Antal per fodral: 1. G-S Skydd: NINCS

RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SO8. Kapsling (JEDEC-standard): TO-263AB. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 8. Tillverkarens märkning: SI9410BDY-E3. Drain-source spänning Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 6.2A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.024 Ohms @ 8.1A. Gate haverispänning Ugs [V]: 3V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 15 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 45 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 1000pF. Maximal förlust Ptot [W]: 1.5W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

Kanaltyp: P. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: P-kanal MOSFET transistor. ID (T=25°C): 5.3A. Idss (max): 5.3A. Antal terminaler: 8. Pd (effektförlust, max): 2.5W. Resistans Rds På: 0.055 Ohms. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Teknik: V-MOS. Hölje: SO. Hölje (enligt datablad): SO-8. Spänning Vds(max): 30 v. Antal per fodral: 1

Antal terminaler: 8. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Teknik: (G-S) MOSFET. Hölje: SO. Hölje (enligt datablad): SO-8. Antal per fodral: 2

Funktion: 9.31k Ohms. Antal terminaler: 8. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Teknik: 2xN-CH 30V. Hölje: SO. Hölje (enligt datablad): SO-8. Antal per fodral: 2

RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SO8. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 8. Tillverkarens märkning: SI9936BDY. Drain-source spänning Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 4.5A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.035 Ohms @ 6A. Gate haverispänning Ugs [V]: 3V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 15 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 40 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 550pF. Maximal förlust Ptot [W]: 1.1W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

Antal terminaler: 8. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Teknik: SMD. Hölje: SO. Hölje (enligt datablad): SO-8. Antal per fodral: 2

Trr-diod (Min.): 45 ns. Funktion: 9.31k Ohms. ID (T=100°C): 3.7A. Idss (max): 3.2A. IDss (min): 1uA. Antal terminaler: 8. Pd (effektförlust, max): 1uA. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Teknik: 2xN-CH 60V. Hölje: SO. Hölje (enligt datablad): SO-8. Antal per fodral: 2. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

RoHS: NINCS. Komponentfamilj: MOSFET, P-MOS. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SO8. Kapsling (JEDEC-standard): MS-012. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 8. Tillverkarens märkning: SI9953DY. Drain-source spänning Uds [V]: -20V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -2.3A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.25 Ohms @ 1A. Gate haverispänning Ugs [V]: -4.5V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 40 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 90 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 500pF. Maximal förlust Ptot [W]: 2W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C