Transistorer

C(tum): 25pF. Kostnad): 10pF. Kanaltyp: N. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Gränssnitt och omkoppling. Id(imp): 0.8A. ID (T=25°C): 115mA. Idss (max): 115mA. Märkning på höljet: RKM. Pd (effektförlust, max): 0.2W. Resistans Rds På: 7.5 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 20 ns. Td(på): 12 ns. Teknik: Silicon N-channel MOSFET. Hölje: SOT-23 ( TO-236 ). Hölje (enligt datablad): SOT-23. Driftstemperatur: -...+150°C. Spänning Vds(max): 60V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.5V. Vgs(th) min.: 1V. Antal per fodral: 1. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: ja

Kostnad): 100pF. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: DTR.. Kollektorström: 0.1A. Pd (effektförlust, max): 0.2W. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Hölje: SOT-23 ( TO-236 ). Hölje (enligt datablad): SOT-23. Typ av transistor: NPN. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 50V. Antal per fodral: 1. Spec info: screentryck/CMS-kod XJ

C(tum): 780pF. Kostnad): 180pF. Kanaltyp: P. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: DC-DC spänningsomvandlare. Id(imp): 14A. ID (T=25°C): 3.5A. Idss (max): 1uA. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: TM. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 1.25W. Resistans Rds På: 65m Ohms. RoHS: ja. Tonhöjd: 2.9x1.6mm. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 45 ns. Td(på): 15 ns. Teknik: Power MOSFET. Hölje: TSOP. Hölje (enligt datablad): TSMT6. Spänning Vds(max): 30 v. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1V. Antal terminaler: 6. Antal per fodral: 1. Konditioneringsenhet: 3000. G-S Skydd: ja

Kanaltyp: N. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 10A. ID (T=25°C): 2.5A. Idss (max): 2.5A. Pd (effektförlust, max): 1W. Resistans Rds På: 0.074 Ohms. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Teknik: N-Ch MOS FET. Hölje (enligt datablad): TSMT3. Spänning Vds(max): 30 v. Antal per fodral: 1. obs: screentryck/SMD-kod QY. Funktion: strömbrytare, DC/DC-omvandlare

C(tum): 1830pF. Kostnad): 410pF. Kanaltyp: N. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 35A. ID (T=25°C): 9.5A. Idss (max): 1uA. Märkning på höljet: TB. Antal terminaler: 8. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 2W. Resistans Rds På: 0.011 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 78 ns. Td(på): 20 ns. Teknik: 4V Drive N-ch MOSFET. Hölje: SO. Hölje (enligt datablad): SO-8. Spänning Vds(max): 45V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1V. Antal per fodral: 1. Funktion: strömbrytare, DC/DC-omvandlare, växelriktare. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: ja

Kanaltyp: N. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: N MOSFET transistor. ID (T=25°C): 10A. Idss (max): 10A. Antal terminaler: 8. Pd (effektförlust, max): 2W. Resistans Rds På: 0.0125 Ohms. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Teknik: 4V Drive N-ch MOSFET. Hölje: SO. Hölje (enligt datablad): SO-8. Spänning Vds(max): 30 v. Antal per fodral: 1

RoHS: ja. Hölje: PCB-lödning. Hölje: ITO-218. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: S2000N. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 1.5 kV. Samlarström Ic [A], max.: 8A. Gränsfrekvens ft [MHz]: 2 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 50W. Komponentfamilj: högspännings NPN-transistor. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

Typ av transistor: Krafttransistor. Polaritet: NPN. Collector-Emitter Voltage VCEO: 1500V. Kollektorström: 8A. Effekt: 50W. Inbyggd diod: ja. Hölje: TO-247-T

Kostnad): 9pF. Halvledarmaterial: kisel. Kollektorström: 8A. Pd (effektförlust, max): 50W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247F. Typ av transistor: NPN. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 1500V. Antal per fodral: 1. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

Kostnad): 35pF. Darlington-transistor?: ja. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: NF/L, HI-FI Audio. Kollektorström: 15A. obs: hFE 5000...20000. Pd (effektförlust, max): 150W. Typ av transistor: NPN. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 160V. Spec info: komplementär transistor (par) SAP15P. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

Kostnad): 35pF. Darlington-transistor?: ja. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: NF/L, HI-FI Audio. Kollektorström: 15A. obs: hFE 5000...20000. Pd (effektförlust, max): 150W. Typ av transistor: NPN. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 160V. Spec info: komplementär transistor (par) SAP15P. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

Funktion: N MOSFET transistor. ID (T=25°C): 20A. Idss (max): 20A. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: Cool Mos. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247. Antal per fodral: 1

Kanaltyp: P. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: P-kanal MOSFET transistor. ID (T=100°C): 3.3A. ID (T=25°C): 4.4A. Idss (max): 4.4A. Pd (effektförlust, max): 33W. Resistans Rds På: 0.8 Ohms. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: Advanced Power MOSFET. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220F. Spänning Vds(max): 200V. Antal per fodral: 1

Kanaltyp: P. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: P-kanal MOSFET transistor. ID (T=25°C): 3A. Idss (max): 3A. Pd (effektförlust, max): 28W. Resistans Rds På: 1.5 Ohms. Teknik: V-MOS (F). Spänning Vds(max): 200V. Antal per fodral: 1

Kanaltyp: P. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: P-kanal MOSFET transistor. ID (T=100°C): 2.6A. ID (T=25°C): 3.4A. Idss (max): 3.4A. Pd (effektförlust, max): 33W. Resistans Rds På: 1.3 Ohms. Teknik: V-MOS TO220F. Spänning Vds(max): 250V. Antal per fodral: 1. obs: On 13ns, Off 40ns

C(tum): 1970pF. Kostnad): 310pF. Kanaltyp: N. Konditioneringsenhet: 30. Trr-diod (Min.): 50 ns. Funktion: High Speed ​​​​IGBT. Kollektorström: 48A. Ic(puls): 90A. Ic(T=100°C): 30A. Märkning på höljet: G30N60RUFD. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 235W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 54 ns. Td(på): 30 ns. Hölje: TO-3PN ( 2-16C1B ). Hölje (enligt datablad): TO-3PN. Driftstemperatur: -55...+150°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 2.2V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 5V. Spec info: Ic 48A @ 25°C, 30A @ 110°C, Icm 90A (pulsed). CE-diod: ja. Germanium diod: NINCS

RoHS: ja. Komponentfamilj: IGBT transistor med inbyggd höghastighets frihjulsdiod. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-3PN. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: SGH80N60UF. Kollektor-emitterspänning Uce [V]: 600V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 23 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 130 ns. Gate haverispänning Ugs [V]: 6.5V. Maximal förlust Ptot [W]: 195W. Maximal kollektorström (A): 220A. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

C(tum): 550pF. Kostnad): 62pF. Kanaltyp: N. Konditioneringsenhet: 50. Kollektorström: 20A. Ic(puls): 40A. Ic(T=100°C): 10.6A. Märkning på höljet: G10N60A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 92W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 178 ns. Td(på): 28 ns. Teknik: Snabb IGBT i NPT-teknik. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AC. Driftstemperatur: -55...+150°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.7V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 2.4V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 3V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 5V. Funktion: Motorkontroller, Inverter. CE-diod: NINCS. Germanium diod: NINCS

RoHS: ja. C(tum): 1250pF. Kostnad): 100pF. Kanaltyp: N. Konditioneringsenhet: 50. Trr-diod (Min.): 3. Kollektorström: 30A. Ic(puls): 52A. Ic(T=100°C): 15A. Märkning på höljet: G15N120. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 198W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 580 ns. Td(på): 18 ns. Teknik: Snabb IGBT i NPT-teknik. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AC. Driftstemperatur: -55...+150°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 2.5V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 3.6V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 1200V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 3V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 5V. Funktion: Motorkontroller, Inverter, SMPS. CE-diod: NINCS. Germanium diod: NINCS

RoHS: ja. C(tum): 1600pF. Kostnad): 150pF. Kanaltyp: N. Konditioneringsenhet: 50. Trr-diod (Min.): 3. Kollektorström: 41A. Ic(puls): 112A. Ic(T=100°C): 30A. Märkning på höljet: G30N60. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 250W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 291 ns. Td(på): 44 ns. Teknik: Snabb IGBT i NPT-teknik. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AC. Driftstemperatur: -55...+150°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.7V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 2.4V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 3V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 5V. Funktion: Motorkontroller, Inverter. CE-diod: NINCS. Germanium diod: NINCS

RoHS: ja. Komponentfamilj: IGBT transistor. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220AB. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: G30N60HS. Kollektor-emitterspänning Uce [V]: 600V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 16 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 122 ns. Gate haverispänning Ugs [V]: 5V. Maximal förlust Ptot [W]: 250W. Maximal kollektorström (A): 112A. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

Kostnad): 8pF. Halvledarmaterial: kisel. Kollektorström: 15A. Pd (effektförlust, max): 125W. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 850V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 400V. Antal per fodral: 1. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

RoHS: ja. Komponentfamilj: IGBT transistor. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-247AC. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: SGW25N120. Kollektor-emitterspänning Uce [V]: 1.2 kV. Inkopplingstid ton [nsec.]: 60 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 990 ns. Gate haverispänning Ugs [V]: 5V. Maximal förlust Ptot [W]: 313W. Maximal kollektorström (A): 84A. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

RoHS: ja. Komponentfamilj: IGBT transistor. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-247AC. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: G30N60. Kollektor-emitterspänning Uce [V]: 600V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 53 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 389 ns. Gate haverispänning Ugs [V]: 5V. Maximal förlust Ptot [W]: 250W. Maximal kollektorström (A): 112A. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

RoHS: ja. Komponentfamilj: IGBT transistor. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-247AC. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: G30N60HS. Kollektor-emitterspänning Uce [V]: 600V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 16 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 122 ns. Gate haverispänning Ugs [V]: 5V. Maximal förlust Ptot [W]: 250W. Maximal kollektorström (A): 112A. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Kapsling (JEDEC-standard): plaströr. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 106 ns. Td(på): 16 ns. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247AC. Driftstemperatur: -55...+150°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 2.9V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 3V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 5V