Transistorer

C(tum): 30pF. Kostnad): 8pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 200 MHz. Funktion: Allmän förstärkare. Max hFE-förstärkning: 300. Minsta hFE-förstärkning: 75. Kollektorström: 0.8A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 0.625W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Tf(max): 30 ns. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92AMMO. Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vcbo: 60V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.4V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 60V. Vebo: 5V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

RoHS: NINCS. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-92. Kapsling (JEDEC-standard): TO-226. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: 2907A. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 60V. Samlarström Ic [A], max.: 800mA. Gränsfrekvens ft [MHz]: 200 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.625W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Komponentfamilj: PNP transistor

C(tum): 3195pF. Kostnad): 221pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 52 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: standardväxling. Id(imp): 272A. ID (T=100°C): 47A. ID (T=25°C): 68A. Idss (max): 100uA. IDss (min): 0.06uA. Pd (effektförlust, max): 170W. Resistans Rds På: 13.9m Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 52.5 ns. Td(på): 20.7 ns. Hölje: D2PAK ( TO-263 ). Hölje (enligt datablad): D2PAK (SOT404). Driftstemperatur: -55...+175°C. Spänning Vds(max): 100V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 3V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

C(tum): 4900pF. Kostnad): 390pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 80 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Höghastighetsväxling. Id(imp): 240A. ID (T=100°C): 60.8A. ID (T=25°C): 75A. Idss (max): 500uA. IDss (min): 0.05uA. Pd (effektförlust, max): 300W. Resistans Rds På: 12m Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 95 ns. Td(på): 25 ns. Teknik: Fälteffekttransistor i förbättringsläge . Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB ( SOT78 ). Driftstemperatur: -55...+175°C. Spänning Vds(max): 100V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Konditioneringsenhet: 50. Spec info: IDM--240A (Tmb 25°C; pulsed). G-S Skydd: NINCS

C(tum): 4720pF. Kostnad): 456pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 118 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Höghastighetsväxling. Id(imp): 200A. ID (T=100°C): 36A. ID (T=25°C): 50A. Idss (max): 500uA. IDss (min): 0.05uA. Pd (effektförlust, max): 250W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 79 ns. Td(på): 25 ns. Teknik: Fälteffekttransistor i förbättringsläge . Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB ( SOT78 ). Driftstemperatur: -55...+175°C. Spänning Vds(max): 150V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Resistans Rds På: 30 milliOhms. Konditioneringsenhet: 50. Spec info: IDM--200A (Tmb 25°C; pulsed). G-S Skydd: NINCS

RoHS: ja. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-363. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 6. Tillverkarens märkning: B*1. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 50V. Samlarström Ic [A], max.: 100mA. Gränsfrekvens ft [MHz]: 180 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.3W. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Komponentfamilj: dubbel PNP-transistor

RoHS: ja. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-363. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 6. Tillverkarens märkning: D*2. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 50V. Samlarström Ic [A], max.: 100mA. Gränsfrekvens ft [MHz]: 180 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.3W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Komponentfamilj: par NPN- och PNP-transistorer

C(tum): 30pF. Kostnad): 55pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Trr-diod (Min.): 400 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: "Extrem dv/dt-klassad hög toppströmskapacitet". Id(imp): 21.9A. ID (T=100°C): 4.6A. ID (T=25°C): 7.3A. Idss (max): 100uA. IDss (min): 0.5uA. Märkning på höljet: 07N65C3. Pd (effektförlust, max): 83W. Resistans Rds På: 0.54 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 60 ns. Td(på): 6 ns. Teknik: Cool MOS™ Power Transistor. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 650V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2.1V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. G-S Skydd: NINCS

C(tum): 2930pF. Kostnad): 1150pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Trr-diod (Min.): 50 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 380A. ID (T=25°C): 80A. Idss (max): 100uA. IDss (min): 0.1uA. Märkning på höljet: 2N03L04. Pd (effektförlust, max): 188W. Resistans Rds På: 5M Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 54 ns. Td(på): 13 ns. Teknik: Cool Mos. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Driftstemperatur: -55...+175°C. Spänning Vds(max): 30 v. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1.2V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Spec info: Enhancement mode, Logic Level. G-S Skydd: NINCS

RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-251AA. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: RFD14N05L. Drain-source spänning Uds [V]: 50V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 14A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.1 Ohms @ 14A. Gate haverispänning Ugs [V]: 2V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 13 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 42 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 670pF. Maximal förlust Ptot [W]: 48W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +175°C

RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: D-PAK. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: F14N05. Drain-source spänning Uds [V]: 50V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 14A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.1 Ohms @ 14A. Gate haverispänning Ugs [V]: 2V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 13 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 42 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 670pF. Maximal förlust Ptot [W]: 48W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +175°C

C(tum): 850pF. Kostnad): 170pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 100 ns. Typ av transistor: MOSFET. ID (T=25°C): 12A. Idss: 1uA. Idss (max): 12A. Märkning på höljet: F3055L. Pd (effektförlust, max): 48W. Resistans Rds På: 0.15 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 25 ns. Td(på): 10 ns. Teknik: Enhancement-Mode Power MOSFET . Hölje: D-PAK ( TO-252 ). Hölje (enligt datablad): TO-252 ( D-PAK ). Spänning Vds(max): 60V. Antal per fodral: 1. Funktion: logisk nivåkontroll, ESD-skydd

Kanaltyp: P. Avloppsskydd: Zenerdiod. Trr-diod (Min.): 125us. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 20A. ID (T=100°C): 6A. ID (T=25°C): 8A. Idss (max): 25uA. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: D8P05. Pd (effektförlust, max): 48W. Resistans Rds På: 0.3 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 42 ns. Td(på): 16 ns. Teknik: Power MOSFET MegaFET. Hölje: D-PAK ( TO-252 ). Hölje (enligt datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Driftstemperatur: -55...+175°C. Spänning Vds(max): 50V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. Antal terminaler: 2. Antal per fodral: 1. Spec info: ID pulse 20A. G-S Skydd: NINCS

C(tum): 900pF. Kostnad): 325pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 150 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: N MOSFET transistor. Id(imp): 30A. ID (T=100°C): 10A. ID (T=25°C): 12A. Idss (max): 50uA. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: F12N10L. Pd (effektförlust, max): 60W. Resistans Rds På: 0.20 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 100 ns. Td(på): 15 ns. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Driftstemperatur: -55...+155°C. Spänning Vds(max): 100V. Port-/källspänning Vgs: 10V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Konditioneringsenhet: 50. Teknik: MegaFET process, Power MOSFET. Spec info: N-Channel Logic Level Power MOSFET. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

Kanaltyp: N. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: MegaFET. ID (T=25°C): 12A. Idss (max): 12A. Pd (effektförlust, max): 53W. Resistans Rds På: 0.15 Ohms. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: Enhancement-Mode Power MOSFET . Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 60V. Antal per fodral: 1

RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220AB. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: RFP3055LE. Drain-source spänning Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 11A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.107 Ohms @ 8A. Gate haverispänning Ugs [V]: 3V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 8 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 22 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 350pF. Maximal förlust Ptot [W]: 38W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +175°C

RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220AB. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: RFP50N06. Drain-source spänning Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 50A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.022 Ohms @ 50A. Gate haverispänning Ugs [V]: 4 v. Inkopplingstid ton [nsec.]: 12 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 37 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 2020pF. Maximal förlust Ptot [W]: 131W. Resistans Rds På: 0.022 Ohms. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 37 ns. Td(på): 12 ns. Teknik: Power MOSFET. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Driftstemperatur: -55...+175°C. Spänning Vds(max): 60V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +175°C. Kapsling (JEDEC-standard): 50

RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220AB. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: RFP70N06. Drain-source spänning Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 70A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.014 Ohms @ 70A. Gate haverispänning Ugs [V]: 4 v. Inkopplingstid ton [nsec.]: 10 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 32 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 2250pF. Maximal förlust Ptot [W]: 150W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 32 ns. Td(på): 10 ns. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Driftstemperatur: -55...+175°C. Spänning Vds(max): 60V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +175°C. Kapsling (JEDEC-standard): 50. Teknik: MegaFET process, Power MOSFET. Spec info: Temperaturkompenserad PSPICE®-modell

Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 23 ns. Kollektorström: 35A. Ic(puls): 250A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 60W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 60 ns. Td(på): 20 ns. Hölje: TO-3PN ( 2-16C1B ). Hölje (enligt datablad): TO-3PSG. Driftstemperatur: -55...+150°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.6V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 330V. Grind/sändarspänning VGE: 30 v. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 2.5V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 5V. Spec info: trr 0.1us. CE-diod: ja. Germanium diod: NINCS

Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 23 ns. Kollektorström: 35A. Ic(puls): 250A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 60W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 60 ns. Td(på): 20 ns. Hölje: TO-3PN ( 2-16C1B ). Hölje (enligt datablad): TO-3PSG. Driftstemperatur: -55...+150°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.5V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 330V. Grind/sändarspänning VGE: 30 v. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 2.5V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 5V. Spec info: trr 0.06us. CE-diod: ja

C(tum): 1200pF. Kostnad): 80pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 23 ns. Kompatibilitet: Samsung PS42C450B1WXXU. Funktion: Höghastighetsströmbrytare. Kollektorström: 35A. Ic(puls): 250A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 60W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 0.06 ns. Td(på): 0.02 ns. Teknik: Trench gate and thin wafer technology G6H-II ser. Hölje: TO-3PN ( 2-16C1B ). Hölje (enligt datablad): TO-3PSG. Driftstemperatur: -55...+150°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.4V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 1.9V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 300V. Grind/sändarspänning VGE: 30 v. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 2.5V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 5V. Spec info: trr 0.06us. CE-diod: ja. Germanium diod: NINCS

Kanaltyp: N. Typ av transistor: MOSFET. ID (T=25°C): 20A. Idss (max): 20A. Pd (effektförlust, max): 178W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: Field Effect Power MOSFET. Hölje: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hölje (enligt datablad): TO-3P. Spänning Vds(max): 500V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Konditioneringsenhet: 30

Kanaltyp: N. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 60.4k Ohms. ID (T=25°C): 40A. Idss (max): 40A. Pd (effektförlust, max): 200W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: N-kanals MOSFET-transistor. Hölje: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hölje (enligt datablad): TO-3P. Spänning Vds(max): 500V. Antal per fodral: 1. Funktion: Trr 450ns, td(on) 52ns, td(off) 180ns

C(tum): 85pF. Kostnad): 40pF. Kanaltyp: N. Funktion: IGBT. Kollektorström: 30A. Ic(puls): 250A. Pd (effektförlust, max): 30W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 90 ns. Td(på): 40 ns. Hölje: D2PAK ( TO-263 ). Hölje (enligt datablad): D2PAK ( TO-263 ). Driftstemperatur: -55...+150°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.6V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 360V. Grind/sändarspänning VGE: 30 v. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 2.5V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 5V. Antal terminaler: 3. Spec info: 150ns, 30W, 40A. CE-diod: NINCS. Germanium diod: NINCS

C(tum): 1250pF. Kostnad): 40pF. Kanaltyp: P. Kollektorström: 40A. Ic(puls): 200A. Pd (effektförlust, max): 30W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 50 ns. Td(på): 20 ns. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220F. Driftstemperatur: -55...+150°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.7V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 630V. Grind/sändarspänning VGE: 30 v. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 2.5V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 5V. Antal terminaler: 3. Spec info: Panasonic--TX-P50VT20EA. CE-diod: NINCS. Germanium diod: NINCS