Transistorer

Funktion: 27.5 & 34m Ohms). Antal terminaler: 8. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Teknik: par komplementära N-kanals- och P-kanals MOSFET-transistorer. Hölje: SO. Hölje (enligt datablad): SOP-8. Antal per fodral: 2

C(tum): 790pF. Kostnad): 175pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 15.5 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Förbättring av logisk nivå. Id(imp): 40A. ID (T=100°C): 8A. ID (T=25°C): 10A. Idss: 1uA. Idss (max): 10A. Pd (effektförlust, max): 32W. Resistans Rds På: 0.03 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 11.8 ns. Td(på): 2.2 ns. Teknik: Fälteffekttransistor. Hölje: D-PAK ( TO-252 ). Hölje (enligt datablad): TO-252 ( D-PAK ). Spänning Vds(max): 40V. Antal per fodral: 1. Avloppsskydd: NINCS. G-S Skydd: NINCS

Kanaltyp: N-P. Funktion: 28 & 65m Ohms). Antal terminaler: 8. Pd (effektförlust, max): 2W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Teknik: par komplementära N-kanals- och P-kanals MOSFET-transistorer. Hölje: SO. Hölje (enligt datablad): SOP-8. Antal per fodral: 2

RoHS: ja. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-92. Kapsling (JEDEC-standard): TO-226AA. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: P2N2222A. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 40V. Samlarström Ic [A], max.: 600mA. Gränsfrekvens ft [MHz]: 300 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.625W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Komponentfamilj: NPN-transistor

C(tum): 860pF. Kostnad): 450pF. Kanaltyp: N. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 60.4k Ohms. ID (T=25°C): 30A. Idss: 0.1uA. Idss (max): 30A. Pd (effektförlust, max): 75W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 35 ns. Td(på): 16 ns. Teknik: Fälteffekttransistor. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Resistans Rds På: 0.014 Ohms. G-S Skydd: NINCS

C(tum): 2780pF. Kostnad): 641pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 34 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 100A. ID (T=25°C): 50A. Idss: 50uA. Idss (max): 50A. Pd (effektförlust, max): 59.5W. Resistans Rds På: 5.1M Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 35 ns. Td(på): 8 ns. Teknik: Fälteffekttransistor. Hölje (enligt datablad): TO-263 (D2PAK). Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. G-S Skydd: NINCS

C(tum): 1200pF. Kostnad): 600pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 70 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Logic Level Enhancement Mode. Id(imp): 150A. ID (T=100°C): 35A. ID (T=25°C): 50A. Idss: 25uA. Idss (max): 50A. Pd (effektförlust, max): 50W. Resistans Rds På: 15m Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 40 ns. Td(på): 6 ns. Teknik: Fälteffekttransistor. Hölje: D-PAK ( TO-252 ). Hölje (enligt datablad): TO-252 ( D-PAK ). Spänning Vds(max): 20V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. G-S Skydd: NINCS

C(tum): 690pF. Kostnad): 310pF. Kanaltyp: P. Trr-diod (Min.): 15.5 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Förbättring av logisk nivå. Id(imp): 32A. ID (T=100°C): 6A. ID (T=25°C): 8A. Idss (max): 10uA. IDss (min): 1uA. Pd (effektförlust, max): 28W. Resistans Rds På: 0.065 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 19.8 ns. Td(på): 6.7 ns. Teknik: Fälteffekttransistor. Hölje: D-PAK ( TO-252 ). Hölje (enligt datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 40V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1V. Antal terminaler: 2. Antal per fodral: 1. G-S Skydd: NINCS

C(tum): 5000pF. Kostnad): 1800pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 37 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Logic Level Enhancement Mode. Id(imp): 170A. ID (T=100°C): 50A. ID (T=25°C): 75A. Idss: 25uA. Idss (max): 75A. Pd (effektförlust, max): 60W. Resistans Rds På: 5M Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 24 ns. Td(på): 7 ns. Teknik: Fälteffekttransistor. Hölje: D-PAK ( TO-252 ). Hölje (enligt datablad): TO-252 ( D-PAK ). Spänning Vds(max): 20V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. G-S Skydd: NINCS

Kostnad): 35pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 130 MHz. Max hFE-förstärkning: 500. Minsta hFE-förstärkning: 75. Kollektorström: 6.2A. Ic(puls): 15A. obs: komplementär transistor (par) PBSS4041PX. Märkning på höljet: 6F. Pd (effektförlust, max): 0.6W. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Tf (typ): 220 ns. Hölje: SOT-89. Hölje (enligt datablad): SOT-89. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vcbo: 60V. Mättnadsspänning VCE(lat): 35mV. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 320mV. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 60V. Vebo: 5V. Funktion: High-Current Switching, låg mättnad spänning. Spec info: screentryck/SMD-kod 6F. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

Kostnad): 85pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 110 MHz. Max hFE-förstärkning: 300. Minsta hFE-förstärkning: 80. Kollektorström: 5A. Ic(puls): 15A. obs: PBSS4041NX. Märkning på höljet: 6g. Pd (effektförlust, max): 0.6W. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Tf (typ): 75 ns. Hölje: SOT-89. Hölje (enligt datablad): SOT89 (SC-62). Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vcbo: 60V. Mättnadsspänning VCE(lat): 60mV. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 300mV. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 60V. Vebo: 5V. Funktion: High-Current Switching, låg mättnad spänning. Spec info: screentryck/SMD-kod 6G. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: kHz. Funktion: Transistor med inbyggt förspänningsmotstånd. Minsta hFE-förstärkning: 80. Kollektorström: 100mA. Ic(puls): 100mA. Märkning på höljet: *08. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 0.25W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Hölje: SOT-23 ( TO-236 ). Hölje (enligt datablad): SOT-23 ( TO236 ). Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+150°C. Vcbo: 50V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.15V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 50V. Vebo: 10V. Spec info: screentryck/SMD-kod P08/T08

Halvledarmaterial: kisel. Funktion: NPN-växlingstransistor. Kollektorström: 0.5A. Pd (effektförlust, max): 0.625W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 15V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 40V. Antal per fodral: 1. Spec info: 130.41594. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

C(tum): 920pF. Kostnad): 260pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Trr-diod (Min.): 52 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Fälteffekt effekttransistor, Logisk nivåkontroll. Id(imp): 180A. ID (T=100°C): 30A. ID (T=25°C): 45A. Idss (max): 10uA. IDss (min): 0.05uA. Pd (effektförlust, max): 86W. Resistans Rds På: 0.016 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 78 ns. Td(på): 6 ns. Teknik: TrenchMOS transistor. Hölje: D2PAK ( TO-263 ). Hölje (enligt datablad): SOT-404. Driftstemperatur: -55...+175°C. Spänning Vds(max): 25V. Port-/källspänning Vgs: 15V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Antal terminaler: 2. Antal per fodral: 1. G-S Skydd: NINCS

Kanaltyp: N. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Fälteffekt effekttransistor, Logisk nivåkontroll. Id(imp): 180A. ID (T=25°C): 45A. Idss (max): 45A. Pd (effektförlust, max): 86W. Resistans Rds På: 0.016 Ohms. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: TrenchMOS transistor. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Spänning Vds(max): 25V. Antal per fodral: 1

Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: N MOSFET transistor. ID (T=100°C): 6.2A. ID (T=25°C): 8.7A. Idss (max): 8.7A. Pd (effektförlust, max): 88W. Resistans Rds På: 0.4 Ohms. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: V-MOS SOT78. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 200V

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 500 MHz. Kollektorström: 0.2A. Pd (effektförlust, max): 0.25W. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Hölje: SOT-23 ( TO-236 ). Hölje (enligt datablad): SOT-23. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 15V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 40V. Spec info: screentryck/SMD-kod P1J, T1J. BE-diod: NINCS. CE-diod: ja

C(tum): 30pF. Kostnad): 8pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 250 MHz. Max hFE-förstärkning: 300. Minsta hFE-förstärkning: 100. Kollektorström: 0.6A. Ic(puls): 0.8A. Märkning på höljet: p2X, t2X, W2X. Pd (effektförlust, max): 0.25W. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Hölje: SOT-23 ( TO-236 ). Hölje (enligt datablad): SOT-23. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+150°C. Vcbo: 60V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.4V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 0.75V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 40V. Vebo: 6V. Spec info: screentryck/SMD-kod P2X, T2X, W2X, komplementär transistor (par) PMBT4401. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

Kostnad): 29pF. Konditioneringsenhet: 3000. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 200 MHz. Max hFE-förstärkning: 300. Minsta hFE-förstärkning: 100. Kollektorström: 600mA. Ic(puls): 800mA. Märkning på höljet: *T2, P2T, T2T, W2T. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 0.25W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Tf(max): 350 ns. Tf(min): 40 ns. Hölje: SOT-23 ( TO-236 ). Hölje (enligt datablad): SOT-23 ( TO236 ). Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -65...+150°C. Vcbo: 40V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.4V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 40V. Vebo: 5V. Spec info: screentryck/SMD-kod P2T, T2T, W2T, komplementär transistor (par) PMBT4401. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-23. Kapsling (JEDEC-standard): TO-236AB. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: PMV213SN. Drain-source spänning Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 1.9A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.25 Ohms @ 0.5A. Gate haverispänning Ugs [V]: 4 v. Inkopplingstid ton [nsec.]: 5.5 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 9.5 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 330pF. Maximal förlust Ptot [W]: 2W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

Kostnad): 19pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: Allmän förstärkare. Kollektorström: 0.5A. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 45V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 75V. Spec info: hFE 80...450. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: Allmän förstärkare. Kollektorström: 0.5A. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 45V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 75V. Spec info: hFE 240...600. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

Kostnad): 75pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: Allmän förstärkare. Kollektorström: 0.5A. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Typ av transistor: PNP. Vcbo: 45V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 60V. Spec info: hFE 80...450. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

Kostnad): 45pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: Allmän förstärkare. Kollektorström: 0.5A. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Typ av transistor: PNP. Vcbo: 45V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 60V. Spec info: hFE 240...600. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

Kostnad): 75pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 300 MHz. Funktion: Allmän förstärkare. Max hFE-förstärkning: 300. Minsta hFE-förstärkning: 35. Kollektorström: 0.6A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 0.625W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vcbo: 75V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.3V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 1V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 40V. Vebo: 6V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS