Transistorer

Kostnad): 3pF. Halvledarmaterial: kisel. FT: 50 MHz. Kollektorström: 0.5A. Pd (effektförlust, max): 1W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92M ( 9mm ). Typ av transistor: NPN. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 300V. Funktion: hFE 25...40. Antal per fodral: 1. Spec info: One Watt High Voltage Transistor. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

Kostnad): 6pF. FT: 100 MHz. Max hFE-förstärkning: 150000. Minsta hFE-förstärkning: 25000. Kollektorström: 1A. Pd (effektförlust, max): 1W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92M ( 9mm ). Driftstemperatur: -55...+150°C. Vcbo: 60V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 1.5V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 50V. Vebo: 12V. Funktion: High hFE. Antal per fodral: 1. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

C(tum): 60pF. Kostnad): 6pF. Halvledarmaterial: kisel. FT: 50 MHz. Kollektorström: 1A. Pd (effektförlust, max): 1W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92M ( 9mm ). Typ av transistor: PNP. Vcbo: 40V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 50V. Motstånd B: PNP transistor. BE-motstånd: -30V. Antal per fodral: 1. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

Typ av transistor: NPN-transistor. Polaritet: NPN. Collector-Emitter Voltage VCEO: 28V

RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, P-MOS. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220AB. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: MTP2P50EG. Drain-source spänning Uds [V]: -500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -2A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 6 Ohms @ -1A. Gate haverispänning Ugs [V]: -4V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 24 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 42 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 1183pF. Maximal förlust Ptot [W]: 75W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

C(tum): 410pF. Kostnad): 114pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 55.7 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 45A. ID (T=100°C): 8A. ID (T=25°C): 12A. Idss (max): 100uA. IDss (min): 10uA. Pd (effektförlust, max): 48W. Resistans Rds På: 0.10 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 14 ns. Td(på): 9 ns. Teknik: Enhancement Mode Field Effect Transistor . Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Driftstemperatur: -55...+175°C. Spänning Vds(max): 60V. Port-/källspänning Vgs: 15V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Konditioneringsenhet: 50. Spec info: Logisk nivå grindad transistor. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, P-MOS. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220AB. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: M50P03HDLG. Drain-source spänning Uds [V]: -30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -50A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.025 Ohms @ -25A. Gate haverispänning Ugs [V]: -2V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 30 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 117 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 4900pF. Maximal förlust Ptot [W]: 125W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

RoHS: NINCS. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-247AE. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: MTW45N10E. Drain-source spänning Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 45A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.027 Ohms @ 22.5A. Gate haverispänning Ugs [V]: 4 v. Inkopplingstid ton [nsec.]: 50 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 170 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 5000pF. Maximal förlust Ptot [W]: 180W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

RoHS: NINCS. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-264. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: MTY100N10E. Drain-source spänning Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 100A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.011 Ohms @ 50A. Gate haverispänning Ugs [V]: 4 v. Inkopplingstid ton [nsec.]: 96 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 372 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 10640pF. Maximal förlust Ptot [W]: 300W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

Halvledarmaterial: kisel. FT: kHz. Funktion: transistor med bias resistor nätverk. Max hFE-förstärkning: 100. Minsta hFE-förstärkning: 60. Kollektorström: 0.1A. Märkning på höljet: 8B. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 338mW. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Teknik: Digitala transistorer (BRT). Hölje: SOT-23 ( TO-236 ). Hölje (enligt datablad): SC-59 ( 2.9x1.5x1.15mm ). Typ av transistor: NPN. Vcbo: 50V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 50V. Antal terminaler: 3. obs: Panasonic NV-SD450. obs: B1GBCFLL0035. Antal per fodral: 1. Spec info: screentryck/SMD-kod 8B. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

C(tum): 9pF. Kostnad): 3.5pF. Antal per fodral: 1. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

Kanaltyp: N. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Logic Level Enhancement Mode. Id(imp): 156A. ID (T=25°C): 52A. Idss (max): 52A. Pd (effektförlust, max): 75W. Resistans Rds På: 0.011 Ohms. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Teknik: Field Effect Power MOSFET. Hölje: D2PAK ( TO-263 ). Hölje (enligt datablad): D2PAK ( TO-263 ). Spänning Vds(max): 30 v. Antal per fodral: 1

C(tum): 1373pF. Kostnad): 150pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 395 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Omkopplingsregulator. Id(imp): 40A. ID (T=100°C): 6A. ID (T=25°C): 10A. Idss (max): 50uA. IDss (min): 1uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 45W. Resistans Rds På: 0.65 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 40 ns. Td(på): 15 ns. Teknik: Fälteffekttransistor. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220FP. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 600V. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: ja

RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, P-MOS. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220AB. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: NDP6020P. Drain-source spänning Uds [V]: -20V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -24A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.05 Ohms @ -24A. Gate haverispänning Ugs [V]: -0.7V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 30 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 250 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 1590pF. Maximal förlust Ptot [W]: 60W. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +175°C

Kanaltyp: N. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Logic Level Enhancement Mode. Id(imp): 100A. ID (T=25°C): 25A. Idss (max): 25A. Pd (effektförlust, max): 50W. Resistans Rds På: 0.18 Ohms. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: Field Effect Power MOSFET. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Spänning Vds(max): 30 v. Antal per fodral: 1

C(tum): 2960pF. Kostnad): 1130pF. Kanaltyp: N. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 225A. ID (T=25°C): 75A. Idss (max): 75A. Pd (effektförlust, max): 150W. Resistans Rds På: 0.013 Ohms. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 54 ns. Td(på): 17 ns. Teknik: Enhancement Mode Field Effect Transistor . Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Spänning Vds(max): 60V. Antal per fodral: 1

C(tum): 79pF. Kostnad): 10pF. Kanaltyp: P. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 17 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 1A. ID (T=25°C): 0.12A. Idss (max): 200uA. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: 610. Pd (effektförlust, max): 0.36W. Resistans Rds På: 1.3 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 10 ns. Td(på): 2.5 ns. Hölje: SOT-23 ( TO-236 ). Hölje (enligt datablad): SOT-23. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 60V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3.5V. Vgs(th) min.: 1V. Antal terminaler: 3. obs: screentryck/SMD-kod 610. Funktion: Spänningsstyrd P-kanal liten signalomkopplare, högdensitetscelldesign för låg RDS(ON). Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

C(tum): 195pF. Kostnad): 105pF. Kanaltyp: P. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Logic Level Enhancement Mode. Id(imp): 10A. ID (T=25°C): 1A. Idss (max): 10uA. IDss (min): 1uA. IGF: 1A. Pd (effektförlust, max): 0.5W. Resistans Rds På: 0.35 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 25 ns. Td(på): 8 ns. Hölje: SSOT. Hölje (enligt datablad): SSOT-3 ( SuperSOT-3 ). Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 20V. Port-/källspänning Vgs: 8V. Vgs(th) max.: 1V. Vgs(th) min.: 0.4V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, P-MOS. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-23. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: NDS352APRL. Drain-source spänning Uds [V]: -30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -0.9A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.5 Ohms @ -0.9A. Gate haverispänning Ugs [V]: -2.5V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 10 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 70 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 135pF. Maximal förlust Ptot [W]: 0.5W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-23. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: NDS355AN_NL. Drain-source spänning Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 1.7A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.125 Ohms @ 1.7A. Gate haverispänning Ugs [V]: 2V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 20 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 25 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 195pF. Maximal förlust Ptot [W]: 0.5W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

Kanaltyp: P. Funktion: Dubbla 60V P & P-kanal. Id(imp): 10A. ID (T=25°C): 2.3A. Antal terminaler: 8. Pd (effektförlust, max): 2W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Teknik: PowerTrench MOSFET. Hölje: SO. Hölje (enligt datablad): SO-8. Driftstemperatur: -55...+175°C. Spänning Vds(max): 60V. Antal per fodral: 2. Konditioneringsenhet: 2500. Spec info: 2xP-CH 60V

Funktion: N MOSFET transistor. Antal terminaler: 8. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Teknik: 2xV-MOS. Hölje: SO. Hölje (enligt datablad): SO-8. Antal per fodral: 2

RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, P-MOS. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-223. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: NDT452AP. Drain-source spänning Uds [V]: -30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -5A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.065 Ohms @ -5A. Gate haverispänning Ugs [V]: -2.8V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 20 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 50 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 690pF. Maximal förlust Ptot [W]: 1.3W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, P-MOS. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-223. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: NDT456P. Drain-source spänning Uds [V]: -30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -7.5A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.065 Ohms @ -5A. Gate haverispänning Ugs [V]: -3V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 20 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 130 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 1440pF. Maximal förlust Ptot [W]: 3W. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

C(tum): 4.5pF. Kostnad): 10pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 30 MHz. Max hFE-förstärkning: 150. Minsta hFE-förstärkning: 75. Kollektorström: 15A. Ic(puls): 30A. Pd (effektförlust, max): 150W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hölje (enligt datablad): TO-3P. Typ av transistor: PNP. Vcbo: 250V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 250V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.4V. Vebo: 5V. Spec info: komplementär transistor (par) NJW0281. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS