Transistorer

Kostnad): 5pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 250 MHz. Funktion: UNI. Minsta hFE-förstärkning: 100. Kollektorström: 0.6A. Märkning på höljet: 1 P. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 0.5W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Hölje: SOT-23 ( TO-236 ). Hölje (enligt datablad): SOT-23 ( TO236 ). Typ av transistor: NPN. Vcbo: 40V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 75V. Spec info: SMD 1P. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

RoHS: ja. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-23. Kapsling (JEDEC-standard): TO-236. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: 1P. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 40V. Samlarström Ic [A], max.: 600mA. Gränsfrekvens ft [MHz]: 300 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.3W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Komponentfamilj: NPN-transistor

RoHS: ja. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-23. Kapsling (JEDEC-standard): TO-236. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: 1S. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 15V. Samlarström Ic [A], max.: 200mA. Gränsfrekvens ft [MHz]: 100 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.225W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Komponentfamilj: NPN-transistor

RoHS: ja. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-23. Kapsling (JEDEC-standard): TO-236. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: 2F. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 60V. Samlarström Ic [A], max.: 800mA. Gränsfrekvens ft [MHz]: 200 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.35W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Komponentfamilj: PNP transistor

Kostnad): 1.6pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 200 MHz. Max hFE-förstärkning: 300. Minsta hFE-förstärkning: 100. Kollektorström: 0.6A. Ic(puls): 1.2A. Märkning på höljet: 2F. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 225mW. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Hölje: SOT-23 ( TO-236 ). Hölje (enligt datablad): SOT-23 ( TO236 ). Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vcbo: 60V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.4V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 60V. Vebo: 5V. Spec info: SMD '2F'. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

RoHS: ja. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-23. Kapsling (JEDEC-standard): TO-236. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: 1AM. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 40V. Samlarström Ic [A], max.: 200mA. Gränsfrekvens ft [MHz]: 300 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.35W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Komponentfamilj: NPN-transistor

RoHS: ja. Motstånd B: ja. BE-motstånd: PCB-lödning (SMD). C(tum): SOT-23. Kostnad): 1.6pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 300 MHz. Funktion: UNI. Max hFE-förstärkning: 300. Minsta hFE-förstärkning: 100. Kollektorström: 0.2A. Märkning på höljet: 1AM. Pd (effektförlust, max): 0.2W. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Hölje: SOT-23 ( TO-236 ). Hölje (enligt datablad): SOT-23. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 40V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 60V. Spec info: SMD 1AM. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

RoHS: ja. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-23. Kapsling (JEDEC-standard): TO-236. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: 2A. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 40V. Samlarström Ic [A], max.: 200mA. Gränsfrekvens ft [MHz]: 250 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.225W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Komponentfamilj: PNP transistor. Märkning på höljet: 2A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 225mW. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Tf(max): 75 ns. Tf(min): 35 ns. Hölje: SOT-23 ( TO-236 ). Hölje (enligt datablad): SOT-23 ( TO236 ). Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vcbo: 40V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.25V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 40V. Vebo: 5V. Spec info: SMD 2A

Kostnad): 80pF. Konditioneringsenhet: 3000. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 250 MHz. Funktion: Switchande transistor. Max hFE-förstärkning: 300. Minsta hFE-förstärkning: 20. Kollektorström: 0.6A. Ic(puls): 0.9A. Märkning på höljet: 2x. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 300mW. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Tf(max): 30 ns. Hölje: SOT-23 ( TO-236 ). Hölje (enligt datablad): SOT-23 ( TO236 ). Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vcbo: 60V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.4V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 40V. Vebo: 6V. Spec info: screentryck/CMS-kod 2X. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

RoHS: ja. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-23. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: 2T. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 40V. Samlarström Ic [A], max.: 600mA. Gränsfrekvens ft [MHz]: 200 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.25W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Komponentfamilj: PNP transistor

Konditioneringsenhet: 3000. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 200 MHz. Max hFE-förstärkning: 300. Minsta hFE-förstärkning: 30. Kollektorström: 0.6A. Märkning på höljet: 2T. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 0.3W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Tf(max): 30 ns. Hölje: SOT-23 ( TO-236 ). Hölje (enligt datablad): SOT-23 ( TO236 ). Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vcbo: 40V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.4V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 40V. Vebo: 5V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

RoHS: ja. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-23. Kapsling (JEDEC-standard): TO-236. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: 2L. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 150V. Samlarström Ic [A], max.: 600mA. Gränsfrekvens ft [MHz]: 100 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.250W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Komponentfamilj: PNP transistor. Märkning på höljet: 2 L. Ekvivalenta: MMBT5401LT1G. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 300mW. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Hölje: SOT-23 ( TO-236 ). Hölje (enligt datablad): SOT-23 ( TO236 ). Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vcbo: 160V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.2V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 150V. Vebo: 5V. Spec info: screentryck/SMD-kod (2Lx datumkod)

RoHS: ja. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-23. Kapsling (JEDEC-standard): TO-236. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: 2L. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 150V. Samlarström Ic [A], max.: 500mA. Gränsfrekvens ft [MHz]: 100 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.225W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Komponentfamilj: PNP transistor

Konditioneringsenhet: 3000. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 100 MHz. Max hFE-förstärkning: 250. Minsta hFE-förstärkning: 60. Kollektorström: 0.6A. Märkning på höljet: G1. Ekvivalenta: MMBT5551LT1G. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 300mW. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Hölje: SOT-23 ( TO-236 ). Hölje (enligt datablad): SOT-23 ( TO236 ). Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vcbo: 180V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.15V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 160V. Vebo: 6V. Spec info: screentryck/SMD-kod G1 (3S Fairchild). BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

RoHS: ja. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-23. Kapsling (JEDEC-standard): TO-236. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: G1. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 160V. Samlarström Ic [A], max.: 600mA. Gränsfrekvens ft [MHz]: 100 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.225W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Komponentfamilj: NPN-transistor

RoHS: ja. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-23. Kapsling (JEDEC-standard): TO-236. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: 1GM. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 80V. Samlarström Ic [A], max.: 500mA. Gränsfrekvens ft [MHz]: 100 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.25W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Komponentfamilj: NPN-transistor

RoHS: ja. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-23. Kapsling (JEDEC-standard): TO-236. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: 1GM. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 80V. Samlarström Ic [A], max.: 500mA. Gränsfrekvens ft [MHz]: 100 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.225W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Komponentfamilj: NPN-transistor

Konditioneringsenhet: 3000. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 50 MHz. Max hFE-förstärkning: 40. Minsta hFE-förstärkning: 25. Kollektorström: 0.5A. obs: 1D. Märkning på höljet: 1D. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 240mW. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Hölje: SOT-23 ( TO-236 ). Hölje (enligt datablad): SOT-23 ( TO236 ). Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vcbo: 300V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.5V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 300V. Vebo: 6V. Spec info: komplementär transistor (par) MMBTA92. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

RoHS: ja. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-23. Kapsling (JEDEC-standard): TO-236. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: 1D. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 300V. Samlarström Ic [A], max.: 500mA. Gränsfrekvens ft [MHz]: 50 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.225W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Komponentfamilj: NPN-transistor

RoHS: ja. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-23. Kapsling (JEDEC-standard): TO-236. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: 2GM. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 60V. Samlarström Ic [A], max.: 500mA. Gränsfrekvens ft [MHz]: 50 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.250W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Komponentfamilj: PNP transistor

RoHS: ja. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-23. Kapsling (JEDEC-standard): TO-236. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: 2GM. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 80V. Samlarström Ic [A], max.: 500mA. Gränsfrekvens ft [MHz]: 50 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.225W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Komponentfamilj: PNP transistor

Kostnad): 170pF. Konditioneringsenhet: 3000. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 50 MHz. Max hFE-förstärkning: 40. Minsta hFE-förstärkning: 25. Kollektorström: 0.5A. obs: 2D. Märkning på höljet: 2D. Ekvivalenta: PMBTA92.215. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 300mW. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Hölje: SOT-23 ( TO-236 ). Hölje (enligt datablad): SOT-23 ( TO236 ). Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vcbo: 300V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.5V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 300V. Vebo: 5V. Spec info: komplementär transistor (par) MMBTA42. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

RoHS: ja. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-23. Kapsling (JEDEC-standard): TO-236. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: 2D. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 300V. Samlarström Ic [A], max.: 500mA. Gränsfrekvens ft [MHz]: 50 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.250W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Komponentfamilj: PNP transistor

RoHS: ja. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-23. Kapsling (JEDEC-standard): TO-236. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: 2D. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 300V. Samlarström Ic [A], max.: 500mA. Gränsfrekvens ft [MHz]: 50 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.225W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Komponentfamilj: PNP transistor

RoHS: NINCS. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-23. Kapsling (JEDEC-standard): TO-236. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: 3EM. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 25V. Samlarström Ic [A], max.: 5mA. Gränsfrekvens ft [MHz]: 650 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.35W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Komponentfamilj: NPN-transistor