MMBT4401LT1G

Kvantitet (Set med 10)	exkl. moms	moms incl.
1 - 4	7.16kr	8.95kr
5 - 9	6.80kr	8.50kr
10 - 24	6.45kr	8.06kr
25 - 49	6.09kr	7.61kr
50 - 99	5.73kr	7.16kr
100 - 118	5.37kr	6.71kr

Kvantitet (Set med 10)	U.P
1 - 4	7.16kr	8.95kr
5 - 9	6.80kr	8.50kr
10 - 24	6.45kr	8.06kr
25 - 49	6.09kr	7.61kr
50 - 99	5.73kr	7.16kr
100 - 118	5.37kr	6.71kr

Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!

Antal i lager : 1171

Set med 10

MMBT4401LT1G. Kostnad): 80pF. Konditioneringsenhet: 3000. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 250 MHz. Funktion: Switchande transistor. Max hFE-förstärkning: 300. Minsta hFE-förstärkning: 20. Kollektorström: 0.6A. Ic(puls): 0.9A. Märkning på höljet: 2x. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 300mW. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Tf(max): 30 ns. Hölje: SOT-23 ( TO-236 ). Hölje (enligt datablad): SOT-23 ( TO236 ). Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vcbo: 60V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.4V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 40V. Vebo: 6V. Spec info: screentryck/CMS-kod 2X. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS. Antal i lager uppdaterad den 13/01/2025, 20:25.

Information och teknisk hjälp

Via telefon :

Via e-post

Försäljningsvillkor

Betalning och leverans

Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!