Transistorer

Kostnad): 6pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 4 MHz. Funktion: hFE=25 Min @ IC=8Adc. Max hFE-förstärkning: 75. Minsta hFE-förstärkning: 25. Kollektorström: 16A. Ic(puls): 30A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 200W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: Epitaxial-Base . Hölje: TO-264 ( TOP-3L ). Hölje (enligt datablad): TO–3PBL. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+150°C. Vcbo: 400V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.4V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 250V. Vebo: 5V. Spec info: komplementär transistor (par) MJL21193. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

Typ av transistor: NPN-transistor. Polaritet: NPN. Funktion: HI-FI effektförstärkare. Collector-Emitter Voltage VCEO: 250V. Kollektorström: 16A. Effekt: 200W. Hölje: TO-264

C(tum): 30pF. Kostnad): 8pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 4 MHz. Funktion: hFE=25 Min @ IC=8Adc. Max hFE-förstärkning: 100. Minsta hFE-förstärkning: 25. Kollektorström: 16A. Ic(puls): 30A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 200W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-264 ( TOP-3L ). Hölje (enligt datablad): TO-264. Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -65...+150°C. Vcbo: 400V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.4V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 250V. Vebo: 5V. Spec info: komplementär transistor (par) MJL21196. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 4 MHz. Funktion: hFE=25 Min @ IC=8Adc. Max hFE-förstärkning: 100. Minsta hFE-förstärkning: 25. Kollektorström: 16A. Ic(puls): 30A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 200W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-264 ( TOP-3L ). Hölje (enligt datablad): TO-264. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+150°C. Vcbo: 400V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.4V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 250V. Vebo: 5V. Spec info: komplementär transistor (par) MJL21195. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 30 MHz. Funktion: Kompletterande bipolär krafttransistor. Max hFE-förstärkning: 150. Minsta hFE-förstärkning: 45. Kollektorström: 15A. Ic(puls): 25A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 200W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-264 ( TOP-3L ). Hölje (enligt datablad): TO-264. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+150°C. Vcbo: 260V. Mättnadsspänning VCE(lat): 3V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 260V. Vebo: 5V. Spec info: komplementär transistor (par) MJL1302A. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS. Konditioneringsenhet: 25. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 35 MHz. Funktion: Effektljud, låg harmonisk distorsion. Max hFE-förstärkning: 250. Minsta hFE-förstärkning: 50. Kollektorström: 15A. Ic(puls): 30A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 230W. RoHS: ja. Spec info: komplementär transistor (par) MJL4302A. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: Silicon Power Bipolar Transistor. Hölje: TO-264 ( TOP-3L ). Hölje (enligt datablad): TO-264. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -60...+150°C. Vcbo: 350V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 350V. Vebo: 5V

Konditioneringsenhet: 25. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 35 MHz. Max hFE-förstärkning: 250. Minsta hFE-förstärkning: 50. Kollektorström: 15A. Ic(puls): 30A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 230W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: Silicon Power Bipolar Transistor. Hölje: TO-264 ( TOP-3L ). Hölje (enligt datablad): TO-264. Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -60...+150°C. Vcbo: 350V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 350V. Vebo: 5V. Funktion: Effektljud, låg harmonisk distorsion. Spec info: komplementär transistor (par) MJL4281A. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 30 MHz. Funktion: Kompletterande bipolär krafttransistor. Produktionsdatum: 201446. Max hFE-förstärkning: 200. Minsta hFE-förstärkning: 50. Kollektorström: 15A. Ic(puls): 25A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 200W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247. Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -65...+150°C. Vcbo: 230V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.4V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 230V. Vebo: 5V. Teknik: Power bipolär transistor. Spec info: komplementär transistor (par) MJW3281A. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 4 MHz. Funktion: Utmärkt förstärkningslinjäritet. Produktionsdatum: 2015/04. Max hFE-förstärkning: 80. Minsta hFE-förstärkning: 20. Kollektorström: 16A. Ic(puls): 30A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 200W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247. Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -65...+150°C. Vcbo: 400V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 250V. Vebo: 5V. Spec info: komplementär transistor (par) MJW21196. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 4 MHz. Funktion: Utmärkt förstärkningslinjäritet. Max hFE-förstärkning: 80. Minsta hFE-förstärkning: 20. Kollektorström: 16A. Ic(puls): 30A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 200W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+150°C. Vcbo: 250V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 400V. Vebo: 5V. Spec info: komplementär transistor (par) MJW21195. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

Kostnad): 2.8pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 30 MHz. Funktion: Kompletterande bipolär krafttransistor. Produktionsdatum: 201444 201513. Max hFE-förstärkning: 200. Minsta hFE-förstärkning: 50. Kollektorström: 15A. Ic(puls): 25A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 200W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+150°C. Vcbo: 230V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.4V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 230V. Vebo: 5V. Teknik: Power bipolär transistor. Spec info: komplementär transistor (par) MJW1302A. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

Kanaltyp: N. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Bilelektronik. ID (T=25°C): 2A. Idss (max): 6uA. IDss (min): 0.6uA. Märkning på höljet: L2N06CL. Pd (effektförlust, max): 40W. Resistans Rds På: 0.3 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 5us. Td(på): 1us. Teknik: SMARTDISCRETES MOSFET Logic Level. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Driftstemperatur: -50...+150°C. Spänning Vds(max): 62V. Port-/källspänning Vgs: 10V. Vgs(th) min.: 1V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Spec info: MOSFET HYBRID. G-S Skydd: ja

RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-23. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: MMBF170. Drain-source spänning Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.5A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.2 Ohms @ 0.2A. Gate haverispänning Ugs [V]: 3V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 10 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 10 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 40pF. Maximal förlust Ptot [W]: 0.3W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-23. Kapsling (JEDEC-standard): TO-236AB. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: 6Z. Drain-source spänning Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.5A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 5 Ohms @ 0.2A. Gate haverispänning Ugs [V]: 3V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 10 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 10 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 60pF. Maximal förlust Ptot [W]: 0.225W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

RoHS: ja. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-23. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: 6K. Drain-source spänning Uds [V]: 30 v. Dräneringsström Idss [A] @ Ug=0V: 25mA. Gate-source brytpunktsspänning Ugss [V] @ Uds=0V: -2V @ +15V. Maximal förlust Ptot [W]: 0.225W. Komponentfamilj: N-kanals JFET-transistor. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

C(tum): 4.5pF. Kanaltyp: N. Typ av transistor: JFET. Funktion: Uni sym. Idss (max): 9mA. IDss (min): 2mA. IGF: 10mA. Märkning på höljet: 61 S. Pd (effektförlust, max): 2mA. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Teknik: JFET-transistor för allmänt ändamål. Hölje: SOT-23 ( TO-236 ). Hölje (enligt datablad): SOT-23 ( TO236 ). Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 25V. Port-/källspänning Vgs: 3.5V. Grind/källa spänning (av) max.: 7V. Grind/källa spänning (av) min.: 1V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. obs: screentryck/SMD-kod 61S. Avloppsskydd: NINCS. G-S Skydd: NINCS

C(tum): 5pF. Kanaltyp: P. Typ av transistor: JFET. Idss (max): 5mA. IDss (min): 1mA. IGF: 10mA. Märkning på höljet: 6E. Pd (effektförlust, max): 225mW. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Teknik: J-FET Ampl.. Hölje: SOT-23 ( TO-236 ). Hölje (enligt datablad): SOT-23 ( TO236 ). Spänning Vds(max): 40V. Port-/källspänning Vgs: 4 v. Vgs(th) min.: 6V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Avloppsskydd: NINCS. G-S Skydd: NINCS

C(tum): 5pF. Kanaltyp: P. Typ av transistor: JFET. Idss (max): 9mA. IDss (min): 2mA. IGF: 10mA. Märkning på höljet: 61U. Pd (effektförlust, max): 225mW. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Teknik: J-FET Ampl.. Hölje: SOT-23 ( TO-236 ). Hölje (enligt datablad): SOT-23 ( TO236 ). Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 40V. Port-/källspänning Vgs: 4.5V. Vgs(th) min.: 7.5V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Spec info: screentryck/SMD-kod 61U. Avloppsskydd: NINCS. G-S Skydd: NINCS

C(tum): 11pF. Kanaltyp: P. Antal per fodral: 1. Typ av transistor: JFET. Idss (max): 60mA. IDss (min): 7mA. IGF: 50mA. Märkning på höljet: 6W. Pd (effektförlust, max): 225mW. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Teknik: P-Channel Switch. Hölje: SOT-23 ( TO-236 ). Hölje (enligt datablad): SOT-23 ( TO236 ). Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 30 v. Grind/källa spänning (av) max.: 6V. Grind/källa spänning (av) min.: 3V. Antal terminaler: 3. obs: screentryck/SMD-kod 6W. Konditioneringsenhet: 3000

Kanaltyp: P. Typ av transistor: JFET. Idss (max): 20mA. IDss (min): 1.5mA. IGF: 50mA. Märkning på höljet: 6Y. Pd (effektförlust, max): 225mW. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Teknik: P-Channel Switch. Hölje: SOT-23 ( TO-236 ). Hölje (enligt datablad): SOT-23 ( TO236 ). Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 25V. Grind/källa spänning (av) max.: 2.5V. Grind/källa spänning (av) min.: 0.8V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. obs: screentryck/SMD-kod 6Y. Konditioneringsenhet: 3000

RoHS: ja. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-23. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: 6Y. Drain-source spänning Uds [V]: -30V. Dräneringsström Idss [A] @ Ug=0V: -20mA. Gate-source brytpunktsspänning Ugss [V] @ Uds=0V: +2.5V @ -15V. Maximal förlust Ptot [W]: 0.225W. Komponentfamilj: P-kanal JFET transistor. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

Kanaltyp: N. Typ av transistor: JFET. Idss (max): 1mA. IDss (min): 0.2mA. IGF: 50mA. Märkning på höljet: 62 P. Pd (effektförlust, max): 0.2mA. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Hölje: SOT-23 ( TO-236 ). Hölje (enligt datablad): SOT-23 ( TO236 ). Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 40V. Port-/källspänning Vgs: 40V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. obs: screentryck/SMD-kod 62P. Konditioneringsenhet: 3000. Spec info: VGS(off) 0.3V...1.5V. Avloppsskydd: NINCS. G-S Skydd: NINCS

Kanaltyp: N. Typ av transistor: FET. Funktion: VHF/UHF-förstärkare, oscillator och mixer. Idss (max): 30mA. IDss (min): 12mA. IGF: 10mA. Märkning på höljet: 6U. Pd (effektförlust, max): 12mA. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Hölje: SOT-23 ( TO-236 ). Hölje (enligt datablad): SOT-23 ( TO236 ). Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 25V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. obs: screentryck/SMD-kod 6U. Konditioneringsenhet: 3000. Spec info: Gate amplifier, 16dB at 100MHz and 12dB at 450MHz. Avloppsskydd: NINCS. G-S Skydd: NINCS

Kanaltyp: N. Typ av transistor: FET. Funktion: VHF/UHF-förstärkare, oscillator och mixer. Idss (max): 60mA. IDss (min): 24mA. IGF: 10mA. Märkning på höljet: 6T. Pd (effektförlust, max): 350mW. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Hölje: SOT-23 ( TO-236 ). Hölje (enligt datablad): SOT-23 ( TO236 ). Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 25V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. obs: screentryck/SMD-kod 6T. Konditioneringsenhet: 3000. Spec info: Gate amplifier, 16dB at 100MHz and 12dB at 450MHz. Avloppsskydd: NINCS. G-S Skydd: NINCS

RoHS: ja. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-23. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: 6T. Drain-source spänning Uds [V]: 25V. Dräneringsström Idss [A] @ Ug=0V: 60mA. Gate-source brytpunktsspänning Ugss [V] @ Uds=0V: -2V @ +10V. Maximal förlust Ptot [W]: 0.225W. Komponentfamilj: N-kanals JFET-transistor. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C