Kvantitet | exkl. moms | moms incl. |
---|---|---|
1 - 4 | 55.08kr | 68.85kr |
5 - 9 | 52.33kr | 65.41kr |
10 - 24 | 49.58kr | 61.98kr |
25 - 49 | 46.82kr | 58.53kr |
50 - 55 | 45.72kr | 57.15kr |
Kvantitet | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 55.08kr | 68.85kr |
5 - 9 | 52.33kr | 65.41kr |
10 - 24 | 49.58kr | 61.98kr |
25 - 49 | 46.82kr | 58.53kr |
50 - 55 | 45.72kr | 57.15kr |
MJW3281AG. Kostnad): 2.8pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 30 MHz. Funktion: Kompletterande bipolär krafttransistor. Produktionsdatum: 201444 201513. Max hFE-förstärkning: 200. Minsta hFE-förstärkning: 50. Kollektorström: 15A. Ic(puls): 25A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 200W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+150°C. Vcbo: 230V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.4V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 230V. Vebo: 5V. Teknik: Power bipolär transistor. Spec info: komplementär transistor (par) MJW1302A. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS. Antal i lager uppdaterad den 13/01/2025, 00:25.
Information och teknisk hjälp
Betalning och leverans
Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!
Alla rättigheter förbehållna, RPtronics, 2024.