Transistorer

Tillverkarens märkning: MJE13007G. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 400V. Samlarström Ic [A], max.: 8A. Gränsfrekvens ft [MHz]: 4 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 80W. Typ av transistor: Krafttransistor. Polaritet: NPN. Collector-Emitter Voltage VCEO: 400V. Kollektorström: 8A. Effekt: 80W. Hölje: TO-220AB. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

RoHS: ja. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220. Kapsling (JEDEC-standard): TO-220. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: MJE13009G. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 400V. Samlarström Ic [A], max.: 12A. Gränsfrekvens ft [MHz]: 4 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 100W. Komponentfamilj: högspännings NPN-transistor. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 30 MHz. Funktion: för ljudförstärkare. Max hFE-förstärkning: 40. Minsta hFE-förstärkning: 20. Kollektorström: 8A. Ic(puls): 16A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 50W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+150°C. Vcbo: 150V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.5V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 150V. Vebo: 5V. Spec info: komplementär transistor (par) MJE15031. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

Kollektorström: 8A. Hölje: TO-220. Polaritet: NPN. Collector-Emitter Voltage VCEO: 150V. Effekt: 50W. Halvledarmaterial: kisel. FT: 30 MHz. Funktion: för ljudförstärkare. Max hFE-förstärkning: 40. Minsta hFE-förstärkning: 20. Ic(puls): 16A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 50W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+150°C. Vcbo: 150V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.5V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 150V. Vebo: 5V. Spec info: komplementär transistor (par) MJE15031G

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 30 MHz. Funktion: för ljudförstärkare. Max hFE-förstärkning: 40. Minsta hFE-förstärkning: 20. Kollektorström: 8A. Ic(puls): 16A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 50W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -65...+150°C. Vcbo: 150V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.5V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 150V. Vebo: 5V. Spec info: komplementär transistor (par) MJE15031. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

Hölje: TO-220. Motstånd B: Krafttransistor. BE-motstånd: -150V. C(tum): -8A. Kostnad): 50W. Konditioneringsenhet: 50. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 30 MHz. Funktion: för ljudförstärkare. Max hFE-förstärkning: 40. Minsta hFE-förstärkning: 20. Kollektorström: 8A. Ic(puls): 16A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 50W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -65...+150°C. Vcbo: 150V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.5V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 150V. Vebo: 5V. Spec info: komplementär transistor (par) MJE15030G. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

Polaritet: NPN. Collector-Emitter Voltage VCEO: 250V. Kollektorström: 8A. Effekt: 50W. Hölje: TO-220

Hölje: TO-220. Tillverkarens märkning: MJE15032G. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 250V. Samlarström Ic [A], max.: 8A. Gränsfrekvens ft [MHz]: 30 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 50W. Polaritet: NPN. Collector-Emitter Voltage VCEO: 250V. Kollektorström: 8A. Effekt: 50W. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 50W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+150°C. Vcbo: 250V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.5V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 250V. Vebo: 5V. Spec info: komplementär transistor (par) MJE15033

Typ av transistor: Krafttransistor. Polaritet: PNP. Collector-Emitter Voltage VCEO: -250V. Kollektorström: -8A. Effekt: 50W. Hölje: TO-220

RoHS: ja. Hölje: TO-220. Motstånd B: ja. BE-motstånd: PCB-lödning. C(tum): TO-220. Kostnad): 2pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 30 MHz. Funktion: för ljudförstärkare. Max hFE-förstärkning: 50. Minsta hFE-förstärkning: 10. Kollektorström: 8A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 50W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -65...+150°C. Vcbo: 250V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.5V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 250V. Vebo: 5V. Spec info: komplementär transistor (par) MJE15032. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

Kostnad): 2.5pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 30 MHz. Funktion: hFE=100 (Min) @ IC=0.5Adc. Kollektorström: 4A. Pd (effektförlust, max): 50W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Typ av transistor: NPN. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 350V. Spec info: komplementär transistor (par) MJE15035G. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

Kostnad): 2.5pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 30 MHz. Max hFE-förstärkning: 100. Minsta hFE-förstärkning: 10. Kollektorström: 4A. Ic(puls): 8A. obs: komplementär transistor (par) MJE15034G. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 50W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -65...+150°C. Vcbo: 350V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.5V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 350V. Vebo: 5V. Spec info: hFE=100 (Min) @ IC=0.5Adc. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

Kostnad): 2.5pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 13 MHz. Funktion: Växlingsläge Strömförsörjningsapplikationer. Max hFE-förstärkning: 34. Minsta hFE-förstärkning: 12:1. Kollektorström: 5A. Ic(puls): 10A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 75W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Tf(max): 400us. Tf(min): 70us. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+150°C. Vcbo: 1000V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.5V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 450V. Vebo: 9V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

RoHS: ja. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220. Kapsling (JEDEC-standard): TO-220. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: MJE18004G. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 450V. Samlarström Ic [A], max.: 5A. Gränsfrekvens ft [MHz]: 13 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 75W. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 14 MHz. Funktion: SMPS. Kollektorström: 6A. Pd (effektförlust, max): 100W. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1000V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 450V. Spec info: SWITCHMODE. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

C(tum): 1750pF. Kostnad): 100pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 13MHz. Funktion: Växlingsläge Strömförsörjningsapplikationer. Max hFE-förstärkning: 14. Minsta hFE-förstärkning: 34. Kollektorström: 8A. Ic(puls): 16A. Pd (effektförlust, max): 120W. RoHS: ja. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -60...+150°C. Vcbo: 1000V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.3V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 0.6V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 450V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

Typ av transistor: Krafttransistor. Polaritet: NPN. Collector-Emitter Voltage VCEO: 1000V. Kollektorström: 8A. Effekt: 120W. Hölje: TO-220

Kostnad): 80pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 65MHz. Max hFE-förstärkning: 180. Minsta hFE-förstärkning: 45. Kollektorström: 5A. Pd (effektförlust, max): 15W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje (enligt datablad): TO-225. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+150°C. Vcbo: 25V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.3V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 1.8V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 40V. Vebo: 8V. Spec info: komplementär transistor (par) MJE210. Hölje: TO-126 (TO-225, SOT-32). BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

Kostnad): 120pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 65MHz. Kollektorström: 5A. Pd (effektförlust, max): 15W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje (enligt datablad): TO-225. Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -65...+150°C. Vcbo: 25V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.3V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 1.8V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 40V. Vebo: 8V. Spec info: komplementär transistor (par) MJE200. Hölje: TO-126 (TO-225, SOT-32). BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

Kollektorström: 4A. BE-motstånd: 100V. C(tum): 4A. Kostnad): 15W. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 40 MHz. Funktion: Höghastighetsväxling, Audio. Max hFE-förstärkning: 180. Minsta hFE-förstärkning: 40. Ic(puls): 8A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 15W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje (enligt datablad): TO-225. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.3V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 100V. Vebo: 7V. Spec info: komplementär transistor (par) MJE253. Hölje: TO-126 (TO-225, SOT-32). BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

Typ av transistor: Krafttransistor. Polaritet: PNP. Collector-Emitter Voltage VCEO: -100V. Kollektorström: -4A. Effekt: 15W. Hölje: TO-126. Halvledarmaterial: kisel. FT: 40 MHz. Funktion: Höghastighetsväxling, Audio. Max hFE-förstärkning: 180. Minsta hFE-förstärkning: 40. Kollektorström: 4A. Ic(puls): 8A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 15W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje (enligt datablad): TO-225. Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.3V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 100V. Vebo: 7V. Spec info: komplementär transistor (par) MJE243. Hölje: TO-126 (TO-225, SOT-32)

Hölje: TO-220. Motstånd B: Krafttransistor. BE-motstånd: -70V. C(tum): -10A. Kostnad): 90W. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 2 MHz. Funktion: NF-L. Max hFE-förstärkning: 70. Minsta hFE-förstärkning: 20. Kollektorström: 10A. Ic(puls): +150°C. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 75W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: Epitaxial-Base . Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vcbo: 70V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.1V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 8V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 60V. Vebo: 5V. Spec info: komplementär transistor (par) MJE3055T. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 2 MHz. Funktion: för Hi-fi-ljudförstärkare och switchade regulatorer. Max hFE-förstärkning: 100. Minsta hFE-förstärkning: 20. Kollektorström: 10A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 75W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: Epitaxial-Base . Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vcbo: 70V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.1V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 8V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 60V. Vebo: 5V. Spec info: komplementär transistor (par) MJE3055T. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

RoHS: ja. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220. Kapsling (JEDEC-standard): TO-220. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: MJE2955TG. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 60V. Samlarström Ic [A], max.: 10A. Gränsfrekvens ft [MHz]: 2 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 75W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

RoHS: ja. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220AB. Kapsling (JEDEC-standard): TO-220AB. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: MJE3055T. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 60V. Samlarström Ic [A], max.: 10A. Gränsfrekvens ft [MHz]: 2 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 75W. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Kollektorström: 10A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 75W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: Epitaxial-Base . Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vcbo: 70V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.1V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 60V. Vebo: 5V. Spec info: komplementär transistor (par) MJE2955T