Transistorer

Halvledarmaterial: kisel. Funktion: FAST-SWITCH. Max hFE-förstärkning: 18. Minsta hFE-förstärkning: 5. Kollektorström: 10A. Ic(puls): 16A. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 58W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Tf(max): 0.6us. Tf(min): 0.3us. Hölje (enligt datablad): TO-3PF. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.3V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 700V. Vebo: 7V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Spec info: ICM--16A (tp=5ms). Hölje: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

Typ av transistor: NPN-transistor. Polaritet: NPN. Antal per fodral: 2. Collector-Emitter Voltage VCEO: 50V. Kollektorström: 0.8A. Effekt: 0.46W. Hölje: TO-78

Kostnad): 1.6pF. Darlington-transistor?: NINCS. Halvledarmaterial: kisel. FT: 64kHz. Funktion: FAST-SWITCH fh--64KHz (IC=6A). Produktionsdatum: 2014/17. Max hFE-förstärkning: 8.5. Minsta hFE-förstärkning: 6. Kollektorström: 14A. Ic(puls): 21A. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 62W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Tf(max): 0.25us. Tf(min): 0.12us. Hölje (enligt datablad): ISOWATT218FX. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 700V. Mättnadsspänning VCE(lat): 2.5V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 1500V. Vebo: 9V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Hölje: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

C(tum): 1700pF. Kostnad): 184pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 430 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 44A. ID (T=100°C): 6.9A. ID (T=25°C): 11A. Idss (max): 1uA. IDss (min): 1uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 49W. Resistans Rds På: 0.45 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 76 ns. Td(på): 38 ns. Teknik: Cool Mos POWER transistor. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO220F. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 600V. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Funktion: SMPS, höghastighetsväxling. Spec info: Ultra Low Gate Charge. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

C(tum): 1650pF. Kostnad): 180pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 355 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 48A. ID (T=100°C): 6.9A. ID (T=25°C): 11A. Idss (max): 1uA. IDss (min): 1uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 49.6W. Resistans Rds På: 0.45 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 132 ns. Td(på): 27 ns. Teknik: Cool Mos POWER transistor. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO220F. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 650V. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Funktion: SMPS, höghastighetsväxling. Spec info: Ultra Low Gate Charge. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

C(tum): 780pF. Kostnad): 100pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 272 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Snabb omkopplare, låg grindladdning 28nC, låg Crss 24pF. Id(imp): 36A. ID (T=100°C): 5.5A. ID (T=25°C): 9A. Idss (max): 9A. IDss (min): 1uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 38W. Resistans Rds På: 0.72 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 38 ns. Td(på): 18 ns. Teknik: DMOS, QFET. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220F. Driftstemperatur: +55...+150°C. Spänning Vds(max): 500V. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. G-S Skydd: NINCS

C(tum): 1160pF. Kostnad): 134pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 360ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 32A. ID (T=100°C): 5.7A. ID (T=25°C): 9A. Idss (max): 1uA. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: MDF9N60. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 48W. Resistans Rds På: 0.65 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 48 ns. Td(på): 31 ns. Teknik: Cool Mos POWER transistor. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO220F. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 600V. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Funktion: SMPS, höghastighetsväxling. Spec info: Ultra Low Gate Charge. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

Kostnad): 2.5pF. Darlington-transistor?: ja. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: kHz. Max hFE-förstärkning: 400. Minsta hFE-förstärkning: 40. Kollektorström: 20A. Ic(puls): 30A. Antal terminaler: 2. Pd (effektförlust, max): 175W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Tf(max): 0.6us. Hölje: TO-3 ( TO-204 ). Hölje (enligt datablad): TO-3 ( TO–204AE ). Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+200°C. Vcbo: 650V. Mättnadsspänning VCE(lat): 2V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 450V. Vebo: 8V. Spec info: Q1 BE 100 Ohms, Q2 BE 15 Ohms. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

Kostnad): 4pF. Darlington-transistor?: ja. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: hFE 25. Kollektorström: 50A. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-3 ( TO-204 ). Hölje (enligt datablad): TO-3 ( TO–204AE ). Typ av transistor: NPN. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 400V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

Kostnad): 7pF. Darlington-transistor?: ja. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: hFE 75...1000. Kollektorström: 60A. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-3 ( TO-204 ). Hölje (enligt datablad): TO-3 ( TO–204AE ). Typ av transistor: NPN. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 250V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

RoHS: ja. Komponentfamilj: Darlington PNP Power Transistor. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-3. Kapsling (JEDEC-standard): TO-204AA. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: MJ11015G. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 120V. Samlarström Ic [A], max.: 30A. Maximal förlust Ptot [W]: 200W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +200°C. Gränsfrekvens ft [MHz]: hFE 1000 (IC=20Adc, VCE=5Vdc). obs: 8k Ohms (R1), 40 Ohms (R2). Antal terminaler: 2. Pd (effektförlust, max): 200W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-3 ( TO-204 ). Hölje (enligt datablad): TO-3. Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -55...+200°C. Vcbo: 120V. Mättnadsspänning VCE(lat): 3V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 120V. Vebo: 5V. Spec info: komplementär transistor (par) MJ11016

RoHS: ja. Motstånd B: ja. BE-motstånd: PCB-lödning. C(tum): 4pF. Kostnad): TO-204AA. Darlington-transistor?: ja. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 4 MHz. Minsta hFE-förstärkning: 1000. Kollektorström: 30A. Ic(puls): +200°C. obs: hFE 1000 (IC=20Adc, VCE=5Vdc). obs: 8k Ohms (R1), 40 Ohms (R2). Antal terminaler: 2. Pd (effektförlust, max): 200W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-3 ( TO-204 ). Hölje (enligt datablad): TO-3 ( TO-204 ). Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+200°C. Vcbo: 120V. Mättnadsspänning VCE(lat): 3V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 120V. Vebo: 5V. Spec info: komplementär transistor (par) MJ11015. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

Typ av transistor: Darlington Power Transistor. Polaritet: PNP. Typ: Darlington transistor. Collector-Emitter Voltage VCEO: -60V. Kollektorström: -50A. Effekt: 300W

Darlington-transistor?: ja. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: hFE 1000 (IC=25Adc, VCE=5Vdc, RBE=1K). Max hFE-förstärkning: 18000. Minsta hFE-förstärkning: 1000. Kollektorström: 50A. Ic(puls): 100A. Pd (effektförlust, max): 300W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-3 ( TO-204 ). Hölje (enligt datablad): TO-3 ( TO-204 ). Typ av transistor: NPN. Vcbo: 120V. Mättnadsspänning VCE(lat): 2.5V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 120V. Spec info: komplementär transistor (par) MJ11033

RoHS: ja. Komponentfamilj: Darlington NPN Power Transistor. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-3. Kapsling (JEDEC-standard): TO-204AA. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: MJ11032G. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 120V. Samlarström Ic [A], max.: 50A. Maximal förlust Ptot [W]: 300W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +200°C

Kostnad): 300pF. Darlington-transistor?: ja. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: hFE 1000 (IC=25Adc, VCE=5Vdc, RBE=1K). Max hFE-förstärkning: 18000. Minsta hFE-förstärkning: 1000. Kollektorström: 50A. Ic(puls): 100A. Pd (effektförlust, max): 300W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-3 ( TO-204 ). Hölje (enligt datablad): TO-3 ( TO-204 ). Typ av transistor: PNP. Vcbo: 120V. Mättnadsspänning VCE(lat): 2.5V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 120V. Spec info: komplementär transistor (par) MJ11032

RoHS: ja. Komponentfamilj: Darlington PNP Power Transistor. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-3. Kapsling (JEDEC-standard): TO-204AA. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: MJ11033G. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 120V. Samlarström Ic [A], max.: 50A. Maximal förlust Ptot [W]: 300W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +200°C

RoHS: ja. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-3. Kapsling (JEDEC-standard): TO-204AA. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: MJ15003G. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 140V. Samlarström Ic [A], max.: 20A. Gränsfrekvens ft [MHz]: 2 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 250W. Komponentfamilj: högspännings NPN-transistor. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +200°C. Antal terminaler: 2. Pd (effektförlust, max): 250W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-3 ( TO-204 ). Hölje (enligt datablad): TO-3. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+200°C. Vcbo: 140V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 140V. Vebo: 5V. Spec info: komplementär transistor (par) MJ15004

RoHS: ja. Motstånd B: ja. BE-motstånd: 70. C(tum): TO-3. Kostnad): TO-204AA. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 2 MHz. Funktion: Krafttransistor. Max hFE-förstärkning: 150. Minsta hFE-förstärkning: 25. Kollektorström: 20A. Antal terminaler: 2. Pd (effektförlust, max): 250W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-3 ( TO-204 ). Hölje (enligt datablad): TO-3. Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -65...+200°C. Vcbo: 140V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 140V. Vebo: 5V. Spec info: komplementär transistor (par) MJ15003. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS. Ic(puls): 20A

BE-motstånd: 70. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 0.8 MHz. Kollektorström: 15A. Pd (effektförlust, max): 180W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-3 ( TO-204 ). Hölje (enligt datablad): TO-3. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 200V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 120V. Spec info: Motorola. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

BE-motstånd: 70. Darlington-transistor?: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 0.8 MHz. Max hFE-förstärkning: 70. Minsta hFE-förstärkning: 10. Kollektorström: 15A. Antal terminaler: 2. Pd (effektförlust, max): 180W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Tf(max): 6us. Tf(min): 4us. Hölje: TO-3 ( TO-204 ). Hölje (enligt datablad): TO-3. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+200°C. Vcbo: 200V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.1V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 120V. Vebo: 7V. Spec info: komplementär transistor (par) MJ15016. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

RoHS: ja. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-3. Kapsling (JEDEC-standard): TO-204AA. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: MJ15015G. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 120V. Samlarström Ic [A], max.: 15A. Gränsfrekvens ft [MHz]: 6 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 180W. Komponentfamilj: högspännings NPN-transistor. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +200°C

Kostnad): 360pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 0.8 MHz. Kollektorström: 15A. Pd (effektförlust, max): 180W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-3 ( TO-204 ). Hölje (enligt datablad): TO-3. Typ av transistor: PNP. Vcbo: 200V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 120V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 0.8 MHz. Max hFE-förstärkning: 70. Minsta hFE-förstärkning: 10. Kollektorström: 15A. Antal terminaler: 2. Pd (effektförlust, max): 180W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Tf(max): 6us. Tf(min): 4us. Hölje: TO-3 ( TO-204 ). Hölje (enligt datablad): TO-3. Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -65...+200°C. Vcbo: 200V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.1V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 120V. Vebo: 7V. Spec info: komplementär transistor (par) MJ15015. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

RoHS: ja. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-3. Kapsling (JEDEC-standard): TO-204AA. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: MJ15016G. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 120V. Samlarström Ic [A], max.: 15A. Gränsfrekvens ft [MHz]: 18 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 180W. Komponentfamilj: högspännings PNP-transistor. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +200°C