Transistorer

Kostnad): 3.5pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 100 MHz. Max hFE-förstärkning: 140. Minsta hFE-förstärkning: 70. Kollektorström: 0.05A. Märkning på höljet: C2310 O. Pd (effektförlust, max): 0.8W. RoHS: NINCS. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: "Epitaxial kiseltransistor". Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92L (9mm magas). Typ av transistor: NPN. Vcbo: 200V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 0.5V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 150V. Vebo: 5V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

Kostnad): 3.5pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 100 MHz. Max hFE-förstärkning: 240. Minsta hFE-förstärkning: 120. Kollektorström: 0.05A. Märkning på höljet: C2310 Y. Pd (effektförlust, max): 0.8W. RoHS: NINCS. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: "Epitaxial kiseltransistor". Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92L (9mm magas). Typ av transistor: NPN. Vcbo: 200V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 0.5V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 150V. Vebo: 5V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

Motstånd B: 10. BE-motstånd: 10. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 120 MHz. Kollektorström: 2A. Pd (effektförlust, max): 1W. Typ av transistor: NPN. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 30 v. Spec info: TO-92M (hauteur 9mm). BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

Motstånd B: 10. BE-motstånd: 10. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 50 MHz. Funktion: 0501-000367. Kollektorström: 0.1A. Pd (effektförlust, max): 1W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92M ( 9mm ). Typ av transistor: NPN. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 300V. Spec info: 9mm höjd. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

Kostnad): 60pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 50 MHz. Funktion: hFE 120...240. Kollektorström: 0.7A. Pd (effektförlust, max): 1W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92L ( SC-51 ) ( 9mm ). Typ av transistor: NPN. Vcbo: 80V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 60V

Kostnad): 60pF. Konditioneringsenhet: 50. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 15 MHz. Max hFE-förstärkning: 40. Minsta hFE-förstärkning: 20. Kollektorström: 3A. Ic(puls): 10A. Märkning på höljet: KSC5027 (O). Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 50W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Tf(max): 0.3us. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: 0...+150°C. Vcbo: 1100V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 2V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 800V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

Kostnad): 60pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 15 MHz. Max hFE-förstärkning: 30. Minsta hFE-förstärkning: 15. Kollektorström: 3A. Ic(puls): 10A. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 40W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Tf(max): 0.3us. Tf(min): 0.5us. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220F. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: 0...+150°C. Vcbo: 1100V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 2V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 800V. Vebo: 7V. BE-diod: NINCS. CE-diod: ja

BE-motstånd: 10. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: Dyn Focus. Kollektorström: 0.1A. Pd (effektförlust, max): 4W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje (enligt datablad): TO-126. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 900V. Spec info: HV switch. Hölje: TO-126 (TO-225, SOT-32). BE-diod: NINCS. CE-diod: ja

BE-motstånd: 10. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: "Hi-res". Kollektorström: 8A. obs: MONITOR. Pd (effektförlust, max): 50W. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 800V. BE-diod: NINCS. CE-diod: ja

BE-motstånd: 10. Konditioneringsenhet: 30. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: kHz. Funktion: High Switching 0.1us. Max hFE-förstärkning: 22. Minsta hFE-förstärkning: 8. Kollektorström: 7A. Ic(puls): 16A. Märkning på höljet: C5386. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 50W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: "Trippeldiffuserad plan kiseltransistor". Tf(max): 0.2us. Tf(min): 0.1us. Hölje (enligt datablad): TO-3PF. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Mättnadsspänning VCE(lat): 4.2V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 800V. Vebo: 6V. Spec info: VEBO 6V. Hölje: TO-3PF (SOT399). BE-diod: NINCS. CE-diod: ja

Kostnad): 80pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: CRT-HA (F). Kollektorström: 10A. Pd (effektförlust, max): 60W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje (enligt datablad): TO-3PF. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 800V. Spec info: Monitor 68KHz. Hölje: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

Kostnad): 90pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: CRT-HA (F). Kollektorström: 10A. Pd (effektförlust, max): 60W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje (enligt datablad): TO-3PF. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 800V. Spec info: Rbe 50 Ohms, monitor 69kHz. Hölje: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

Darlington-transistor?: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: CRT-HA (F). Max hFE-förstärkning: 40. Minsta hFE-förstärkning: 15. Kollektorström: 12A. Ic(puls): 24A. Märkning på höljet: C5803. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 70W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Tf(max): 0.3us. Tf(min): 0.1us. Hölje (enligt datablad): TO-3PF. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Mättnadsspänning VCE(lat): 3V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 800V. Spec info: For C-Monitor (85KHz). Hölje: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

Kostnad): 12pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 250 MHz. Funktion: FM-V/M/O/IF. Kollektorström: 0.03A. Pd (effektförlust, max): 0.25W. Typ av transistor: NPN. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 35V. Spec info: 12149301860. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 250 MHz. Funktion: FM-V/M/O/IF. Kollektorström: 0.03A. Pd (effektförlust, max): 0.25W. Typ av transistor: NPN. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 35V. Spec info: 62137301900

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 100 MHz. Kollektorström: 0.05A. obs: hFE 350...700. Pd (effektförlust, max): 0.25W. Typ av transistor: NPN. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 30 v. Spec info: 0501-000394

Pinout: 1. C(tum): 1.5pF. Kostnad): 11pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 300 MHz. Max hFE-förstärkning: 400. Minsta hFE-förstärkning: 200. Kollektorström: 150mA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 0.25W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 60V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.15V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 50V. Vebo: 5V. Spec info: komplementär transistor (par) KSA733. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

Pinout: 1. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 300 MHz. Max hFE-förstärkning: 240. Minsta hFE-förstärkning: 120. Kollektorström: 150mA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 0.25W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 60V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.15V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 50V. Vebo: 5V. Spec info: komplementär transistor (par) KSA733. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

Kostnad): 35pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 3 MHz. Max hFE-förstärkning: 320. Minsta hFE-förstärkning: 150. Kollektorström: 3A. Märkning på höljet: D2012-G. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 25W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: Silicon NPN Triple Diffused Type. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -55°C till +150°C. Vcbo: 60V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.4V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 1V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 60V. Vebo: 7V. Spec info: komplementär transistor (par) KSB1366. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

Kostnad): 20pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 3 MHz. Kollektorström: 5A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 60W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje (enligt datablad): TO-3PML. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 800V. Vebo: 6V. Spec info: Rbe 50 Ohms. Hölje: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)

Kostnad): 500pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: kHz. Funktion: Högspänningsfärgskärm horisontell avböjning . Max hFE-förstärkning: 40. Minsta hFE-förstärkning: 15. Kollektorström: 10A. Ic(puls): 30A. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 70W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Tf(max): 0.3us. Tf(min): 1us. Hölje (enligt datablad): TO-3PF. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Mättnadsspänning VCE(lat): 5V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 800V. Vebo: 6V. Spec info: 0.1...0.3us. Hölje: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)

Kostnad): 500pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 20 MHz. Kollektorström: 5A. Pd (effektförlust, max): 30W. Typ av transistor: NPN. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 100V. Spec info: 12149-401-070

Kostnad): 500pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 90 MHz. Kollektorström: 3A. Pd (effektförlust, max): 10W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-126F. Hölje (enligt datablad): TO-126F. Typ av transistor: NPN. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 30 v. Spec info: SD882-Y

Kostnad): 180pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 4 MHz. Funktion: "Högspänningsomkopplarläge". Max hFE-förstärkning: 40. Minsta hFE-förstärkning: 8. Kollektorström: 12A. Ic(puls): 24A. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 50W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Tf(max): 0.7us. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220F. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 700V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 400V. Vebo: 9V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

Darlington-transistor?: ja. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Kollektorström: 4A. obs: b>750. Pd (effektförlust, max): 40W. Typ av transistor: NPN. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 60V. Spec info: 0503-000001