Transistorer

Kostnad): 8pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 300 MHz. Max hFE-förstärkning: 300. Minsta hFE-förstärkning: 100. Kollektorström: 600mA. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 0.625W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Tf(max): 285 ns. Tf(min): 35 ns. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -...+150°C. Vcbo: 75V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.3V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 1V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 40V. Vebo: 6V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

Kostnad): 12pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 200 MHz. Max hFE-förstärkning: 300. Minsta hFE-förstärkning: 75. Kollektorström: 0.6A. obs: pinout E, C, B. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 0.625W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Typ av transistor: PNP. Vcbo: 60V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.4V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 60V. Vebo: 5V

Kostnad): 6pF. Konditioneringsenhet: 2000. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 50 MHz. Funktion: Högspänningstransistor. Max hFE-förstärkning: 40. Minsta hFE-förstärkning: 25. Kollektorström: 500mA. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 0.625W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: PNP epitaxiell kiseltransistor. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92 ( Ammo Pack ). Typ av transistor: PNP. Vcbo: 300V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.5V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 300V. Vebo: 5V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: SW. Kollektorström: 100mA. Märkning på höljet: R1002. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 300mW. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 50V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 50V

Motstånd B: 22k Ohms. BE-motstånd: 22k Ohms. Kostnad): 100pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 250 MHz. Funktion: SW. Kollektorström: 0.1A. Märkning på höljet: R1003. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 0.3W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: +55...+150°C. Vcbo: 50V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 50V. Vebo: 10V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: SW. Kollektorström: 100mA. Märkning på höljet: R1007. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 300mW. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 50V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 50V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: S. Kollektorström: 0.1A. Typ av transistor: NPN. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 40V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: S. Kollektorström: 0.1A. Typ av transistor: NPN. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 40V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: S. Kollektorström: 0.1A. obs: 0.3W. Typ av transistor: NPN. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 40V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: S. Kollektorström: 0.1A. Typ av transistor: PNP. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 50V. Spec info: 0504-000142. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: SW. Kollektorström: 0.1A. Antal terminaler: 3. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Typ av transistor: PNP. Vcbo: 50V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 50V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

Motstånd B: 47. BE-motstånd: 47. Kostnad): 2.5pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: S. Kollektorström: 0.1A. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Typ av transistor: PNP. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 50V. Spec info: 12159-301-810. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

Motstånd B: 10. BE-motstånd: 10. Kostnad): 3.7pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 80 MHz. Funktion: SWITCHING APPLICATION. Max hFE-förstärkning: 240. Minsta hFE-förstärkning: 120. Kollektorström: 0.15A. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 0.625W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Typ av transistor: PNP. Vcbo: 50V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.1V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 50V. Vebo: 5V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 4 MHz. Funktion: isolerad pakettransistor. Kollektorström: 1.5A. Pd (effektförlust, max): 20W. Typ av transistor: PNP. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 150V

Kostnad): 50pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 120 MHz. Funktion: allmänt syfte. Max hFE-förstärkning: 320. Minsta hFE-förstärkning: 100. Kollektorström: 1.5A. Pd (effektförlust, max): 1W. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Teknik: Epitaxial Planar PNP Transistor . Hölje: SOT-89. Hölje (enligt datablad): SOT-89. Typ av transistor: PNP. Vcbo: 30 v. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 2V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 30 v. Vebo: 5V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

Kostnad): 280pF. Konditioneringsenhet: 30. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 10 MHz. Funktion: Högeffekts ljudförstärkare. Max hFE-förstärkning: 160. Minsta hFE-förstärkning: 55. Kollektorström: 10A. Märkning på höljet: B778. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 80W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje (enligt datablad): TO-3P ( H ) IS. Typ av transistor: PNP. Vcbo: 120V. Mättnadsspänning VCE(lat): 2.5V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 120V. Vebo: 5V. Spec info: komplementär transistor (par) KTD998. Hölje: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

Kostnad): 0.8pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Antal terminaler: 3. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Typ av transistor: NPN. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

Kostnad): 3.5pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 800 MHz. Funktion: FM-V/M/O. Max hFE-förstärkning: 198. Minsta hFE-förstärkning: 40. Kollektorström: 20mA. Märkning på höljet: 15.8k Ohms. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 0.625W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: "Epitaxiell plan transistor". Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 40V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 30 v. Vebo: 4 v. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 20 MHz. Funktion: hFE 20...90. Kollektorström: 3A. obs: T32. Pd (effektförlust, max): 10W. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 120V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 80V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

Kostnad): 0.6pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 11 MHz. Funktion: S-L. Kollektorström: 10A. Pd (effektförlust, max): 70W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-3 ( TO-204 ). Hölje (enligt datablad): TO-3. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 210V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 80V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

Kanaltyp: N. Konditioneringsenhet: 30. Kollektorström: 100A. Ic(puls): 180A. Ic(T=100°C): 60A. Märkning på höljet: 60T65PES. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 535W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 142ns. Td(på): 45 ns. Teknik: High Speed Fieldstop Trench IGBT, Second Generation. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247. Driftstemperatur: -55...+150°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.85V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 2.4V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 650V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 4 v. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 6V. CE-diod: ja. Germanium diod: NINCS

Kanaltyp: N. Typ av transistor: FET. Funktion: 0505-111646. ID (T=25°C): 1.4A. Idss (max): 1.4A. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Teknik: SMD 5p.. Spänning Vds(max): 30 v. Antal per fodral: 1. obs: screentryck/SMD-kod QU

Kostnad): 1pF. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: Högspänningstransistor för CRT i standardupplösning. Max hFE-förstärkning: 8.5. Minsta hFE-förstärkning: 5.5. Kollektorström: 10A. Ic(puls): 15A. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 57W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Tf(max): 0.2us. Hölje (enligt datablad): ISOWATT218FX. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 700V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.5V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 1500V. Vebo: 9V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Hölje: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

Kostnad): 0.55pF. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: Högspänningstransistor för CRT i standardupplösning. Max hFE-förstärkning: 7.5. Minsta hFE-förstärkning: 5.5. Kollektorström: 10A. Ic(puls): 15A. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 57W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Tf(max): 0.25us. Tf(min): 0.25us. Hölje (enligt datablad): ISOWATT218FX. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 700V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.2V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 1500V. Vebo: 10V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Hölje: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

Kostnad): 4pF. Halvledarmaterial: kisel. FT: kHz. Funktion: FAST-SWITCH. Max hFE-förstärkning: 7. Minsta hFE-förstärkning: 4.5. Kollektorström: 12A. Ic(puls): 18A. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 58W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Tf(max): 2.6us. Tf(min): 0.2us. Hölje: ISOWATT218FX. Hölje (enligt datablad): TO-218-FX. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.8V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 700V. Vebo: 9V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS