Kvantitet | exkl. moms | moms incl. |
---|---|---|
1 - 1 | 90.63kr | 113.29kr |
2 - 2 | 86.10kr | 107.63kr |
3 - 4 | 81.57kr | 101.96kr |
5 - 9 | 77.04kr | 96.30kr |
10 - 19 | 75.23kr | 94.04kr |
Kvantitet | U.P | |
---|---|---|
1 - 1 | 90.63kr | 113.29kr |
2 - 2 | 86.10kr | 107.63kr |
3 - 4 | 81.57kr | 101.96kr |
5 - 9 | 77.04kr | 96.30kr |
10 - 19 | 75.23kr | 94.04kr |
MBQ60T65PES. Kanaltyp: N. Konditioneringsenhet: 30. Kollektorström: 100A. Ic(puls): 180A. Ic(T=100°C): 60A. Märkning på höljet: 60T65PES. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 535W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 142ns. Td(på): 45 ns. Teknik: High Speed Fieldstop Trench IGBT, Second Generation. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247. Driftstemperatur: -55...+150°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.85V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 2.4V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 650V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 4 v. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 6V. CE-diod: ja. Germanium diod: NINCS. Antal i lager uppdaterad den 15/01/2025, 16:25.
Information och teknisk hjälp
Betalning och leverans
Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!
Alla rättigheter förbehållna, RPtronics, 2024.