MJ11016G

Kvantitet	exkl. moms	moms incl.
1 - 1	149.82kr	187.28kr
2 - 2	142.33kr	177.91kr
3 - 4	134.84kr	168.55kr
5 - 9	127.35kr	159.19kr
10 - 14	108.36kr	135.45kr
15 - 19	105.75kr	132.19kr
20 - 39	101.83kr	127.29kr

Kvantitet	U.P
1 - 1	149.82kr	187.28kr
2 - 2	142.33kr	177.91kr
3 - 4	134.84kr	168.55kr
5 - 9	127.35kr	159.19kr
10 - 14	108.36kr	135.45kr
15 - 19	105.75kr	132.19kr
20 - 39	101.83kr	127.29kr

Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!

Antal i lager : 39

Set med 1

MJ11016G. RoHS: ja. Motstånd B: ja. BE-motstånd: PCB-lödning. C(tum): 4pF. Kostnad): TO-204AA. Darlington-transistor?: ja. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 4 MHz. Minsta hFE-förstärkning: 1000. Kollektorström: 30A. Ic(puls): +200°C. obs: hFE 1000 (IC=20Adc, VCE=5Vdc). obs: 8k Ohms (R1), 40 Ohms (R2). Antal terminaler: 2. Pd (effektförlust, max): 200W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-3 ( TO-204 ). Hölje (enligt datablad): TO-3 ( TO-204 ). Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+200°C. Vcbo: 120V. Mättnadsspänning VCE(lat): 3V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 120V. Vebo: 5V. Spec info: komplementär transistor (par) MJ11015. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS. Antal i lager uppdaterad den 12/01/2025, 15:25.

Teknisk dokumentation

Information och teknisk hjälp

Via telefon :

Via e-post

Försäljningsvillkor

Betalning och leverans

Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!