NPN-transistor, 30A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3 ( TO-204 ), 120V - MJ11016G

NPN-transistor, 30A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3 ( TO-204 ), 120V - MJ11016G. NPN-transistor, 30A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3 ( TO-204 ), 120V. Kollektorström: 30A. Hölje: TO-3 ( TO-204 ). Hölje (enligt datablad): TO-3 ( TO-204 ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 120V. RoHS: ja. Motstånd B: ja. BE-diod: NINCS. BE-motstånd: PCB-lödning. C(tum): 4pF. Kostnad): TO-204AA. CE-diod: NINCS. Darlington-transistor?: ja. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 4 MHz. Minsta hFE-förstärkning: 1000. Ic(puls): +200°C. obs: hFE 1000 (IC=20Adc, VCE=5Vdc). obs: 8k Ohms (R1), 40 Ohms (R2). Antal terminaler: 2. Pd (effektförlust, max): 200W. Spec info: komplementär transistor (par) MJ11015. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+200°C. Vcbo: 120V. Mättnadsspänning VCE(lat): 3V. Vebo: 5V. Originalprodukt från tillverkaren Onsemi. Antal i lager uppdaterad den 08/06/2025, 03:25.