Kvantitet | exkl. moms | moms incl. |
---|---|---|
1 - 1 | 148.64kr | 185.80kr |
2 - 2 | 141.21kr | 176.51kr |
3 - 4 | 138.24kr | 172.80kr |
5 - 9 | 133.78kr | 167.23kr |
10 - 14 | 130.80kr | 163.50kr |
15 - 19 | 126.34kr | 157.93kr |
20+ | 121.89kr | 152.36kr |
Kvantitet | U.P | |
---|---|---|
1 - 1 | 148.64kr | 185.80kr |
2 - 2 | 141.21kr | 176.51kr |
3 - 4 | 138.24kr | 172.80kr |
5 - 9 | 133.78kr | 167.23kr |
10 - 14 | 130.80kr | 163.50kr |
15 - 19 | 126.34kr | 157.93kr |
20+ | 121.89kr | 152.36kr |
NPN-transistor, 30A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 120V - MJ11015G. NPN-transistor, 30A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 120V. Kollektorström: 30A. Hölje: TO-3 ( TO-204 ). Hölje (enligt datablad): TO-3. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 120V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS. Darlington-transistor?: ja. Antal per fodral: 2. Halvledarmaterial: kisel. FT: 4 MHz. Funktion: hFE 1000 (IC=20Adc, VCE=5Vdc). Minsta hFE-förstärkning: 1000. obs: 8k Ohms (R1), 40 Ohms (R2). Antal terminaler: 2. Pd (effektförlust, max): 200W. RoHS: ja. Spec info: komplementär transistor (par) MJ11016. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -55...+200°C. Vcbo: 120V. Mättnadsspänning VCE(lat): 3V. Vebo: 5V. Originalprodukt från tillverkaren ON Semiconductor. Antal i lager uppdaterad den 04/09/2025, 04:56.
Information och teknisk hjälp
Betalning och leverans
Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!
Alla rättigheter förbehållna, RPtronics, 2024.