Kvantitet | exkl. moms | moms incl. |
---|---|---|
1 - 1 | 170.95kr | 213.69kr |
2 - 2 | 162.40kr | 203.00kr |
3 - 4 | 153.85kr | 192.31kr |
5 - 9 | 145.31kr | 181.64kr |
10 - 14 | 141.89kr | 177.36kr |
15 - 19 | 138.47kr | 173.09kr |
Kvantitet | U.P | |
---|---|---|
1 - 1 | 170.95kr | 213.69kr |
2 - 2 | 162.40kr | 203.00kr |
3 - 4 | 153.85kr | 192.31kr |
5 - 9 | 145.31kr | 181.64kr |
10 - 14 | 141.89kr | 177.36kr |
15 - 19 | 138.47kr | 173.09kr |
MJ11032. Darlington-transistor?: ja. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: hFE 1000 (IC=25Adc, VCE=5Vdc, RBE=1K). Max hFE-förstärkning: 18000. Minsta hFE-förstärkning: 1000. Kollektorström: 50A. Ic(puls): 100A. Pd (effektförlust, max): 300W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-3 ( TO-204 ). Hölje (enligt datablad): TO-3 ( TO-204 ). Typ av transistor: NPN. Vcbo: 120V. Mättnadsspänning VCE(lat): 2.5V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 120V. Spec info: komplementär transistor (par) MJ11033. Antal i lager uppdaterad den 12/01/2025, 19:25.
Information och teknisk hjälp
Betalning och leverans
Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!
Alla rättigheter förbehållna, RPtronics, 2024.