Kvantitet | exkl. moms | moms incl. |
---|---|---|
1 - 4 | 25.59kr | 31.99kr |
5 - 9 | 24.31kr | 30.39kr |
10 - 24 | 23.03kr | 28.79kr |
25 - 49 | 21.75kr | 27.19kr |
50 - 71 | 21.24kr | 26.55kr |
Kvantitet | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 25.59kr | 31.99kr |
5 - 9 | 24.31kr | 30.39kr |
10 - 24 | 23.03kr | 28.79kr |
25 - 49 | 21.75kr | 27.19kr |
50 - 71 | 21.24kr | 26.55kr |
MJE15035G. Kostnad): 2.5pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 30 MHz. Max hFE-förstärkning: 100. Minsta hFE-förstärkning: 10. Kollektorström: 4A. Ic(puls): 8A. obs: komplementär transistor (par) MJE15034G. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 50W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -65...+150°C. Vcbo: 350V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.5V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 350V. Vebo: 5V. Spec info: hFE=100 (Min) @ IC=0.5Adc. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS. Antal i lager uppdaterad den 15/01/2025, 10:25.
Information och teknisk hjälp
Betalning och leverans
Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!
Alla rättigheter förbehållna, RPtronics, 2024.