Transistorer

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 2 MHz. Funktion: för Hi-fi-ljudförstärkare och switchade regulatorer. Max hFE-förstärkning: 100. Minsta hFE-förstärkning: 20. Kollektorström: 10A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 75W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: Epitaxial-Base . Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vcbo: 70V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.1V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 8V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 60V. Vebo: 5V. Spec info: komplementär transistor (par) MJE3055T. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

Konditioneringsenhet: 50. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 2 MHz. Funktion: NF-L. Max hFE-förstärkning: 70. Minsta hFE-förstärkning: 20. Kollektorström: 10A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 75W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: Epitaxial-Base . Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vcbo: 70V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.1V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 60V. Vebo: 5V. Spec info: komplementär transistor (par) MJE2955T. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

RoHS: ja. Hölje: PCB-lödning. Hölje: SOT-32. Kapsling (JEDEC-standard): TO-126. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: MJE340. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 300V. Samlarström Ic [A], max.: 500mA. Maximal förlust Ptot [W]: 20W. Komponentfamilj: högspännings NPN-transistor. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Gränsfrekvens ft [MHz]: 240. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 20W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje (enligt datablad): TO-126. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+150°C. Vcbo: 300V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 300V. Vebo: 3V. Spec info: komplementär transistor (par) MJE350. Hölje: TO-126 (TO-225, SOT-32)

Kostnad): 30pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 10 MHz. Funktion: NF-L, VID.. Kollektorström: 0.5A. Ekvivalenta: KSE340. Pd (effektförlust, max): 20.8W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje (enligt datablad): TO-126 ( TO-225 ). Typ av transistor: NPN. Vcbo: 300V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 500V. Spec info: komplementär transistor (par) MJE350. Hölje: TO-126 (TO-225, SOT-32). BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

Kostnad): 30pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 10 MHz. Funktion: NF-L. Max hFE-förstärkning: 240. Minsta hFE-förstärkning: 30. Kollektorström: 0.5A. obs: plasthus. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 20.8W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-126F. Hölje (enligt datablad): TO-225. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+150°C. Vcbo: 300V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 0.5V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 300V. Vebo: 3V. Spec info: komplementär transistor (par) MJE350. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

RoHS: ja. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-225. Kapsling (JEDEC-standard): TO-225. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: MJE340G. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 300V. Samlarström Ic [A], max.: 500mA. Maximal förlust Ptot [W]: 20W. Komponentfamilj: högspännings NPN-transistor. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: MJE350. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 300V. Samlarström Ic [A], max.: 500mA. Maximal förlust Ptot [W]: 20W. Typ av transistor: Krafttransistor. Polaritet: PNP. Collector-Emitter Voltage VCEO: -300V. Kollektorström: -0.5A. Effekt: 20.8W. Hölje: TO-126. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Gränsfrekvens ft [MHz]: 240. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 20W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje (enligt datablad): TO-126. Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -65...+150°C. Vcbo: 300V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 300V. Vebo: 3V. Spec info: komplementär transistor (par) MJE340. Hölje: TO-126 (TO-225, SOT-32)

C(tum): 7pF. Kostnad): 110pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 10 MHz. Max hFE-förstärkning: 240. Minsta hFE-förstärkning: 30. Kollektorström: 0.5A. Ekvivalenta: KSE350. Pd (effektförlust, max): 20.8W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje (enligt datablad): TO-225. Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -65...+150°C. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 300V. Vebo: 3V. Spec info: komplementär transistor (par) MJE340. Hölje: TO-126 (TO-225, SOT-32). BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

Kostnad): 30pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 10 MHz. Funktion: NF-L. Max hFE-förstärkning: 240. Minsta hFE-förstärkning: 30. Kollektorström: 0.5A. obs: plasthus. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 20.8W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-126F. Hölje (enligt datablad): TO-225. Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -65...+150°C. Vcbo: 300V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 0.5V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 300V. Vebo: 3V. Spec info: komplementär transistor (par) MJE340. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

Tillverkarens märkning: MJE350G. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 300V. Samlarström Ic [A], max.: 500mA. Maximal förlust Ptot [W]: 20W. Typ av transistor: Krafttransistor. Polaritet: PNP. Collector-Emitter Voltage VCEO: -300V. Kollektorström: -0.5A. Effekt: 20W. Hölje: TO-126. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

BE-motstånd: 100 Ohms (R1), 50 Ohms (R2). Konditioneringsenhet: 50. Darlington-transistor?: ja. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Max hFE-förstärkning: 400. Minsta hFE-förstärkning: 50. Kollektorström: 8A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 80W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Tf(min): 2us. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+150°C. Vcbo: 400V. Mättnadsspänning VCE(lat): 2V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 800V. BE-diod: NINCS. CE-diod: ja

Typ av transistor: Darlington Power Transistor. Polaritet: NPN. Typ: Darlington transistor. Collector-Emitter Voltage VCEO: 400V. Kollektorström: 8A. Effekt: 100W. Hölje: TO-220

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: S-L. Kollektorström: 8A. Pd (effektförlust, max): 80W. Typ av transistor: PNP. Vcbo: 450V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 400V. BE-diod: NINCS. CE-diod: ja

RoHS: ja. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220. Kapsling (JEDEC-standard): TO-220. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: MJE5852G. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 400V. Samlarström Ic [A], max.: 8A. Maximal förlust Ptot [W]: 80W. Komponentfamilj: högspännings PNP-transistor. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

Typ av transistor: Darlington Power Transistor. Polaritet: PNP. Typ: Darlington transistor. Collector-Emitter Voltage VCEO: -80V. Kollektorström: -4A. Effekt: 40W. Hölje: TO-126

Kostnad): 1000pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 3 MHz. Funktion: NF-L. Kollektorström: 1.5A. Pd (effektförlust, max): 20W. Typ av transistor: NPN. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 45V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

Kostnad): 1000pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 3 MHz. Funktion: NF-L. Kollektorström: 1.5A. Pd (effektförlust, max): 20W. Typ av transistor: NPN. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 60V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

RoHS: ja. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-225. Kapsling (JEDEC-standard): TO-225. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: MJE800G. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 60V. Samlarström Ic [A], max.: 4A. Maximal förlust Ptot [W]: 40W. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

RoHS: NINCS. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-225. Kapsling (JEDEC-standard): TO-225. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: MJE803. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 80V. Samlarström Ic [A], max.: 4A. Maximal förlust Ptot [W]: 40W. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

Typ av transistor: Krafttransistor. Polaritet: NPN. Collector-Emitter Voltage VCEO: 1000V. Kollektorström: 5A. Effekt: 35W. Hölje: TO-220-F

Kostnad): 80pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: (F). Kollektorström: 8A. Pd (effektförlust, max): 45W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220F. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1000V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 450V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

BE-motstånd: 50. Kostnad): 156pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 13 MHz. Funktion: kopplingskretsar. Max hFE-förstärkning: 35. Minsta hFE-förstärkning: 18. Kollektorström: 5A. Ic(puls): 10A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 35W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Tf(max): 175 ns. Tf(min): 110 ns. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220F. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+175°C. Vcbo: 1200V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.83V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. Vebo: 10V. BE-diod: NINCS. CE-diod: ja

Kostnad): 1.7pF. Konditioneringsenhet: 25. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 30 MHz. Funktion: hFE 45(min). Max hFE-förstärkning: 150. Minsta hFE-förstärkning: 45. Kollektorström: 15A. Ic(puls): 25A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 200W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-264 ( TOP-3L ). Hölje (enligt datablad): TO-264. Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -65...+150°C. Vcbo: 260V. Mättnadsspänning VCE(lat): 3V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 260V. Vebo: 5V. Spec info: komplementär transistor (par) MJL3281A. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

Kostnad): 2.3pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 4 MHz. Funktion: NF-L, TO-264. Kollektorström: 15A. Pd (effektförlust, max): 170W. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 650V. Spec info: TO-3PBL. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

Kostnad): 500pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 4 MHz. Funktion: hFE=25 Min @ IC =8Adc. Max hFE-förstärkning: 75. Minsta hFE-förstärkning: 25. Kollektorström: 16A. Ic(puls): 30A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 200W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-264 ( TOP-3L ). Hölje (enligt datablad): TO–3PBL. Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -65...+150°C. Vcbo: 400V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.4V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 250V. Vebo: 5V. Spec info: komplementär transistor (par) MJL21194. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS