Kvantitet | exkl. moms | moms incl. |
---|---|---|
1 - 4 | 10.66kr | 13.33kr |
5 - 9 | 10.12kr | 12.65kr |
10 - 24 | 9.59kr | 11.99kr |
25 - 47 | 9.06kr | 11.33kr |
Kvantitet | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 10.66kr | 13.33kr |
5 - 9 | 10.12kr | 12.65kr |
10 - 24 | 9.59kr | 11.99kr |
25 - 47 | 9.06kr | 11.33kr |
NPN-transistor, 10A, TO-220, TO-220AB, 60V - MJE3055T-FAI. NPN-transistor, 10A, TO-220, TO-220AB, 60V. Kollektorström: 10A. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 60V. Konditioneringsenhet: 50. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 2 MHz. Funktion: NF-L. Max hFE-förstärkning: 70. Minsta hFE-förstärkning: 20. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 75W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: Epitaxial-Base . Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vcbo: 70V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.1V. Vebo: 5V. Spec info: komplementär transistor (par) MJE2955T. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS. Antal i lager uppdaterad den 20/04/2025, 05:25.
Information och teknisk hjälp
Betalning och leverans
Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!
Alla rättigheter förbehållna, RPtronics, 2024.