Kvantitet | exkl. moms | moms incl. |
---|---|---|
1 - 4 | 7.99kr | 9.99kr |
5 - 9 | 7.59kr | 9.49kr |
10 - 24 | 7.19kr | 8.99kr |
25 - 49 | 6.79kr | 8.49kr |
50 - 99 | 6.63kr | 8.29kr |
100 - 249 | 6.47kr | 8.09kr |
250 - 506 | 7.01kr | 8.76kr |
Kvantitet | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 7.99kr | 9.99kr |
5 - 9 | 7.59kr | 9.49kr |
10 - 24 | 7.19kr | 8.99kr |
25 - 49 | 6.79kr | 8.49kr |
50 - 99 | 6.63kr | 8.29kr |
100 - 249 | 6.47kr | 8.09kr |
250 - 506 | 7.01kr | 8.76kr |
MJE2955T. Hölje: TO-220. Motstånd B: Krafttransistor. BE-motstånd: -70V. C(tum): -10A. Kostnad): 90W. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 2 MHz. Funktion: NF-L. Max hFE-förstärkning: 70. Minsta hFE-förstärkning: 20. Kollektorström: 10A. Ic(puls): +150°C. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 75W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: Epitaxial-Base . Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vcbo: 70V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.1V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 8V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 60V. Vebo: 5V. Spec info: komplementär transistor (par) MJE3055T. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS. Antal i lager uppdaterad den 13/01/2025, 00:25.
Information och teknisk hjälp
Betalning och leverans
Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!
Alla rättigheter förbehållna, RPtronics, 2024.