Elektroniska komponenter och utrustning, för företag och privatpersoner

NPN-transistor, 10A, TO-220, TO-220AB, 60V - MJE2955T

NPN-transistor, 10A, TO-220, TO-220AB, 60V - MJE2955T
[TITLE]
[TITLE]
[TITLE]
[TITLE]
[TITLE]
Kvantitet exkl. moms moms incl.
1 - 4 10.91kr 13.64kr
5 - 9 10.36kr 12.95kr
10 - 24 10.03kr 12.54kr
25 - 49 9.82kr 12.28kr
50 - 99 9.60kr 12.00kr
100 - 249 8.59kr 10.74kr
250 - 352 8.29kr 10.36kr
Kvantitet U.P
1 - 4 10.91kr 13.64kr
5 - 9 10.36kr 12.95kr
10 - 24 10.03kr 12.54kr
25 - 49 9.82kr 12.28kr
50 - 99 9.60kr 12.00kr
100 - 249 8.59kr 10.74kr
250 - 352 8.29kr 10.36kr
Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!
Antal i lager : 352
Set med 1

NPN-transistor, 10A, TO-220, TO-220AB, 60V - MJE2955T. NPN-transistor, 10A, TO-220, TO-220AB, 60V. Kollektorström: 10A. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 60V. RoHS: ja. Motstånd B: ja. BE-diod: NINCS. BE-motstånd: PCB-lödning. C(tum): TO-220AB. Kostnad): TO-220AB. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 2 MHz. Funktion: NF-L. Max hFE-förstärkning: 70. Minsta hFE-förstärkning: 20. Ic(puls): +150°C. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 75W. Spec info: komplementär transistor (par) MJE3055T. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: Epitaxial-Base . Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vcbo: 70V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.1V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 8V. Vebo: 5V. Originalprodukt från tillverkaren Stmicroelectronics. Antal i lager uppdaterad den 08/06/2025, 04:25.

Motsvarande produkter :

Antal i lager : 94
MJE2955T-CDIL

MJE2955T-CDIL

NPN-transistor, 10A, TO-220, TO-220AB, 60V. Kollektorström: 10A. Hölje: TO-220. Hölje (enligt dat...
MJE2955T-CDIL
NPN-transistor, 10A, TO-220, TO-220AB, 60V. Kollektorström: 10A. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 60V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 2 MHz. Funktion: för Hi-fi-ljudförstärkare och switchade regulatorer. Max hFE-förstärkning: 100. Minsta hFE-förstärkning: 20. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 75W. RoHS: ja. Spec info: komplementär transistor (par) MJE3055T. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: Epitaxial-Base . Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vcbo: 70V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.1V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 8V. Vebo: 5V
MJE2955T-CDIL
NPN-transistor, 10A, TO-220, TO-220AB, 60V. Kollektorström: 10A. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 60V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 2 MHz. Funktion: för Hi-fi-ljudförstärkare och switchade regulatorer. Max hFE-förstärkning: 100. Minsta hFE-förstärkning: 20. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 75W. RoHS: ja. Spec info: komplementär transistor (par) MJE3055T. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: Epitaxial-Base . Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vcbo: 70V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.1V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 8V. Vebo: 5V
Set med 1
10.69kr moms incl.
(8.55kr exkl. moms)
10.69kr

Vi rekommenderar även :

Vi rekommenderar även :

Information och teknisk hjälp

Via telefon :

Betalning och leverans

Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!

Prenumerera på nyhetsbrevet

Jag samtycker till att ta emot e-postmeddelanden och jag förstår att jag kan avsluta prenumerationen när som helst efter registrering.

Alla rättigheter förbehållna, RPtronics, 2024.