Elektroniska komponenter och utrustning, för företag och privatpersoner

NPN-transistor, TO-220, 10A, TO-220AB, 60V - MJE2955T

NPN-transistor, TO-220, 10A, TO-220AB, 60V - MJE2955T
[TITLE]
[TITLE]
[TITLE]
[TITLE]
[TITLE]
Kvantitet exkl. moms moms incl.
1 - 4 7.99kr 9.99kr
5 - 9 7.59kr 9.49kr
10 - 24 7.19kr 8.99kr
25 - 49 6.79kr 8.49kr
50 - 99 6.63kr 8.29kr
100 - 249 6.47kr 8.09kr
250 - 492 6.87kr 8.59kr
Kvantitet U.P
1 - 4 7.99kr 9.99kr
5 - 9 7.59kr 9.49kr
10 - 24 7.19kr 8.99kr
25 - 49 6.79kr 8.49kr
50 - 99 6.63kr 8.29kr
100 - 249 6.47kr 8.09kr
250 - 492 6.87kr 8.59kr
Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!
Antal i lager : 492
Set med 1

NPN-transistor, TO-220, 10A, TO-220AB, 60V - MJE2955T. NPN-transistor, TO-220, 10A, TO-220AB, 60V. Hölje: TO-220. Kollektorström: 10A. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 60V. Motstånd B: Krafttransistor. BE-motstånd: -70V. C(tum): -10A. Kostnad): 90W. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 2 MHz. Funktion: NF-L. Max hFE-förstärkning: 70. Minsta hFE-förstärkning: 20. Ic(puls): +150°C. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 75W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: Epitaxial-Base . Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vcbo: 70V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.1V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 8V. Vebo: 5V. Spec info: komplementär transistor (par) MJE3055T. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS. Antal i lager uppdaterad den 20/04/2025, 07:25.

Motsvarande produkter :

Antal i lager : 94
MJE2955T-CDIL

MJE2955T-CDIL

NPN-transistor, 10A, TO-220, TO-220AB, 60V. Kollektorström: 10A. Hölje: TO-220. Hölje (enligt dat...
MJE2955T-CDIL
NPN-transistor, 10A, TO-220, TO-220AB, 60V. Kollektorström: 10A. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 60V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 2 MHz. Funktion: för Hi-fi-ljudförstärkare och switchade regulatorer. Max hFE-förstärkning: 100. Minsta hFE-förstärkning: 20. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 75W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: Epitaxial-Base . Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vcbo: 70V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.1V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 8V. Vebo: 5V. Spec info: komplementär transistor (par) MJE3055T. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS
MJE2955T-CDIL
NPN-transistor, 10A, TO-220, TO-220AB, 60V. Kollektorström: 10A. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 60V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 2 MHz. Funktion: för Hi-fi-ljudförstärkare och switchade regulatorer. Max hFE-förstärkning: 100. Minsta hFE-förstärkning: 20. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 75W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: Epitaxial-Base . Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vcbo: 70V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.1V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 8V. Vebo: 5V. Spec info: komplementär transistor (par) MJE3055T. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS
Set med 1
10.69kr moms incl.
(8.55kr exkl. moms)
10.69kr

Information och teknisk hjälp

Via telefon :

Betalning och leverans

Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!

Prenumerera på nyhetsbrevet

Jag samtycker till att ta emot e-postmeddelanden och jag förstår att jag kan avsluta prenumerationen när som helst efter registrering.

Alla rättigheter förbehållna, RPtronics, 2024.