Elektroniska komponenter och utrustning, för företag och privatpersoner

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-220AB, TO-220AB, 60V, 10A - MJE2955T

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-220AB, TO-220AB, 60V, 10A - MJE2955T
[TITLE]
[TITLE]
[TITLE]
[TITLE]
[TITLE]
Kvantitet exkl. moms moms incl.
1 - 4 16.97kr 21.21kr
5 - 9 16.12kr 20.15kr
10 - 24 11.60kr 14.50kr
25 - 49 11.35kr 14.19kr
50 - 99 9.94kr 12.43kr
100 - 249 8.59kr 10.74kr
250 - 255 8.29kr 10.36kr
Kvantitet U.P
1 - 4 16.97kr 21.21kr
5 - 9 16.12kr 20.15kr
10 - 24 11.60kr 14.50kr
25 - 49 11.35kr 14.19kr
50 - 99 9.94kr 12.43kr
100 - 249 8.59kr 10.74kr
250 - 255 8.29kr 10.36kr
Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!
Antal i lager : 255
Set med 1

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-220AB, TO-220AB, 60V, 10A - MJE2955T. NPN-transistor, PCB-lödning, TO-220AB, TO-220AB, 60V, 10A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220AB. Kapsling (JEDEC-standard): TO-220AB. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 60V. Samlarström Ic [A], max.: 10A. RoHS: ja. Komponentfamilj: PNP Power Transistor. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: MJE2955T. Gränsfrekvens ft [MHz]: 2 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 75W. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Originalprodukt från tillverkaren Stmicroelectronics. Antal i lager uppdaterad den 26/07/2025, 10:25.

Motsvarande produkter :

Antal i lager : 90
MJE2955T-CDIL

MJE2955T-CDIL

NPN-transistor, 10A, TO-220, TO-220AB, 60V. Kollektorström: 10A. Hölje: TO-220. Hölje (enligt dat...
MJE2955T-CDIL
NPN-transistor, 10A, TO-220, TO-220AB, 60V. Kollektorström: 10A. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 60V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 2 MHz. Funktion: för Hi-fi-ljudförstärkare och switchade regulatorer. Max hFE-förstärkning: 100. Minsta hFE-förstärkning: 20. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 75W. RoHS: ja. Spec info: komplementär transistor (par) MJE3055T. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: Epitaxial-Base . Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vcbo: 70V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.1V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 8V. Vebo: 5V
MJE2955T-CDIL
NPN-transistor, 10A, TO-220, TO-220AB, 60V. Kollektorström: 10A. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 60V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 2 MHz. Funktion: för Hi-fi-ljudförstärkare och switchade regulatorer. Max hFE-förstärkning: 100. Minsta hFE-förstärkning: 20. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 75W. RoHS: ja. Spec info: komplementär transistor (par) MJE3055T. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: Epitaxial-Base . Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vcbo: 70V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.1V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 8V. Vebo: 5V
Set med 1
10.69kr moms incl.
(8.55kr exkl. moms)
10.69kr

Vi rekommenderar även :

Vi rekommenderar även :

Information och teknisk hjälp

Via telefon :

Betalning och leverans

Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!

Prenumerera på nyhetsbrevet

Jag samtycker till att ta emot e-postmeddelanden och jag förstår att jag kan avsluta prenumerationen när som helst efter registrering.

Alla rättigheter förbehållna, RPtronics, 2024.