Kvantitet | exkl. moms | moms incl. |
---|---|---|
1 - 4 | 10.08kr | 12.60kr |
5 - 9 | 9.57kr | 11.96kr |
10 - 24 | 9.07kr | 11.34kr |
25 - 49 | 8.57kr | 10.71kr |
50 - 99 | 8.36kr | 10.45kr |
100 - 148 | 8.16kr | 10.20kr |
Kvantitet | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 10.08kr | 12.60kr |
5 - 9 | 9.57kr | 11.96kr |
10 - 24 | 9.07kr | 11.34kr |
25 - 49 | 8.57kr | 10.71kr |
50 - 99 | 8.36kr | 10.45kr |
100 - 148 | 8.16kr | 10.20kr |
MJE350-ONS. C(tum): 7pF. Kostnad): 110pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 10 MHz. Max hFE-förstärkning: 240. Minsta hFE-förstärkning: 30. Kollektorström: 0.5A. Ekvivalenta: KSE350. Pd (effektförlust, max): 20.8W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje (enligt datablad): TO-225. Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -65...+150°C. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 300V. Vebo: 3V. Spec info: komplementär transistor (par) MJE340. Hölje: TO-126 (TO-225, SOT-32). BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS. Antal i lager uppdaterad den 12/01/2025, 15:25.
Information och teknisk hjälp
Betalning och leverans
Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!
Alla rättigheter förbehållna, RPtronics, 2024.