NPN-transistor, PCB-lödning, TO-220, 8A, TO-220AB, 250V - MJE15032G

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-220, 8A, TO-220AB, 250V - MJE15032G. NPN-transistor, PCB-lödning, TO-220, 8A, TO-220AB, 250V. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220. Samlarström Ic [A], max.: 8A. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 250V. RoHS: ja. Komponentfamilj: högspännings NPN-transistor. Kapsling (JEDEC-standard): TO-220. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: MJE15032G. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 250V. Gränsfrekvens ft [MHz]: 30 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 50W. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 50W. Spec info: komplementär transistor (par) MJE15033. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+150°C. Vcbo: 250V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.5V. Vebo: 5V. Originalprodukt från tillverkaren ON Semiconductor. Antal i lager uppdaterad den 07/06/2025, 11:25.