MJE200G

Kvantitet	exkl. moms	moms incl.
1 - 4	18.42kr	23.03kr
5 - 9	17.50kr	21.88kr
10 - 24	16.58kr	20.73kr
25 - 32	15.66kr	19.58kr

Kvantitet	U.P
1 - 4	18.42kr	23.03kr
5 - 9	17.50kr	21.88kr
10 - 24	16.58kr	20.73kr
25 - 32	15.66kr	19.58kr

Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!

Antal i lager : 32

Set med 1

MJE200G. Kostnad): 80pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 65MHz. Max hFE-förstärkning: 180. Minsta hFE-förstärkning: 45. Kollektorström: 5A. Pd (effektförlust, max): 15W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje (enligt datablad): TO-225. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+150°C. Vcbo: 25V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.3V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 1.8V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 40V. Vebo: 8V. Spec info: komplementär transistor (par) MJE210. Hölje: TO-126 (TO-225, SOT-32). BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS. Antal i lager uppdaterad den 15/01/2025, 09:25.

Teknisk dokumentation

Information och teknisk hjälp

Via telefon :

Via e-post

Försäljningsvillkor

Betalning och leverans

Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!