Transistorer

C(tum): 702pF. Kostnad): 357pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 256ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 33A. ID (T=100°C): 6.95A. ID (T=25°C): 11A. Idss (max): 1uA. Märkning på höljet: 50R380. Pd (effektförlust, max): 83W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 59.6ns. Td(på): 15.2ns. Hölje: D-PAK ( TO-252 ). Hölje (enligt datablad): TO-252 ( DPAK ). Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 500V. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 3.5V. Vgs(th) min.: 2.5V. Antal terminaler: 2. Antal per fodral: 1. obs: Låg effektförlust genom höghastighetsväxling och lågt på-motstånd. Funktion: PFC-strömförsörjningssteg, kopplingsapplikationer, motorstyrning, DC-DC-omvandlare. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

C(tum): 890pF. Kostnad): 670pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 375 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: PFC-strömförsörjningssteg, switchade applikationer, motorstyrning, DC/DC-omvandlare. Id(imp): 33A. ID (T=100°C): 6.95A. ID (T=25°C): 11A. Idss (max): 1uA. Märkning på höljet: 60R360P. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 31W. Resistans Rds På: 0.32 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 80 ns. Td(på): 18 ns. Teknik: N-channel POWER MOSFET. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220F. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 600V. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-23. Kapsling (JEDEC-standard): TO-236AB. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: JD. Drain-source spänning Uds [V]: 50V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.22A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 6 Ohms @ 0.22A. Gate haverispänning Ugs [V]: 1.6V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 8 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 16 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 60pF. Maximal förlust Ptot [W]: 0.36W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, P-MOS. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-23. Kapsling (JEDEC-standard): TO-236AB. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Drain-source spänning Uds [V]: -50V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -0.13A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 10 Ohms @ -0.13A. Gate haverispänning Ugs [V]: -2V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 3 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 7 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 45pF. Maximal förlust Ptot [W]: 0.25W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

Kostnad): 9pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 100 MHz. Max hFE-förstärkning: 350. Minsta hFE-förstärkning: 200. Kollektorström: 1.5A. Märkning på höljet: Y1. Pd (effektförlust, max): 0.3W. Teknik: "Epitaxial kiseltransistor". Hölje: SOT-23 ( TO-236 ). Hölje (enligt datablad): SOT-23. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 40V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 0.5V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 25V. Vebo: 6V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

RoHS: ja. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-23. Kapsling (JEDEC-standard): TO-236. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: A6A. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 50V. Samlarström Ic [A], max.: 100mA. Maximal förlust Ptot [W]: 0.24W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Komponentfamilj: PNP transistor

RoHS: ja. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-23. Kapsling (JEDEC-standard): TO-236. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: A6E. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 50V. Samlarström Ic [A], max.: 100mA. Maximal förlust Ptot [W]: 0.24W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Komponentfamilj: PNP transistor

RoHS: ja. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-23. Kapsling (JEDEC-standard): TO-236. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: A8A. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 50V. Samlarström Ic [A], max.: 100mA. Maximal förlust Ptot [W]: 0.2W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Komponentfamilj: NPN-transistor

RoHS: ja. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-23. Kapsling (JEDEC-standard): TO-236. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: A8E. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 50V. Samlarström Ic [A], max.: 100mA. Maximal förlust Ptot [W]: 0.2W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Komponentfamilj: NPN-transistor

RoHS: ja. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-23. Kapsling (JEDEC-standard): TO-236. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: A8K. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 50V. Samlarström Ic [A], max.: 100mA. Maximal förlust Ptot [W]: 0.246W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Komponentfamilj: NPN-transistor

Darlington-transistor?: ja. Halvledarmaterial: kisel. FT: 55 MHz. Funktion: ett par komplementära transistorer. Minsta hFE-förstärkning: 5000. Kollektorström: 10A. Pd (effektförlust, max): 150W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hölje (enligt datablad): TO-218. Typ av transistor: PNP & NPN. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 160V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

RoHS: ja. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-92. Kapsling (JEDEC-standard): TO-226AA. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: MPSA42. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 300V. Samlarström Ic [A], max.: 500mA. Gränsfrekvens ft [MHz]: 50 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.625W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Komponentfamilj: NPN-transistor

RoHS: ja. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-92. Kapsling (JEDEC-standard): TO-226AA. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: MPSA92. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 300V. Samlarström Ic [A], max.: 500mA. Gränsfrekvens ft [MHz]: 50 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.625W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Komponentfamilj: PNP transistor

BE-motstånd: 10. Kostnad): 300pF. Darlington-transistor?: NINCS. Halvledarmaterial: kisel. FT: 100MHz. Minsta hFE-förstärkning: 100. Kollektorström: 500mA. Ic(puls): 1A. Pd (effektförlust, max): 0.625W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vcbo: 80V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.25V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 80V. Vebo: 4 v. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. BE-diod: NINCS. CE-diod: ja

RoHS: ja. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-92. Kapsling (JEDEC-standard): TO-226AA. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: MPSA06. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 80V. Samlarström Ic [A], max.: 500mA. Gränsfrekvens ft [MHz]: 100 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.625W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Komponentfamilj: NPN-transistor

Darlington-transistor?: ja. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: allmänt syfte. Max hFE-förstärkning: 10000. Minsta hFE-förstärkning: 5000. Kollektorström: 0.5A. Pd (effektförlust, max): 0.625W. Teknik: Darlington transistor. Tf(min): 125 MHz. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 30 v. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 1.5V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 30 v. Vebo: 10V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

Darlington-transistor?: ja. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 125 MHz. Funktion: allmänt syfte. Max hFE-förstärkning: 20000. Minsta hFE-förstärkning: 10000. Kollektorström: 500mA. Pd (effektförlust, max): 0.625W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: Darlington transistor. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vcbo: 30 v. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 1.5V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 30 v. Vebo: 10V. Antal terminaler: 3. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

Typ av transistor: NPN-transistor. Polaritet: NPN. Collector-Emitter Voltage VCEO: 45V. Kollektorström: 0.2A. Hölje: TO-92

Kostnad): 3pF. Halvledarmaterial: kisel. FT: 50 MHz. Funktion: VIDEO förstärkare.. Max hFE-förstärkning: 40. Minsta hFE-förstärkning: 25. Kollektorström: 0.5A. Ekvivalenta: KSP42. Pd (effektförlust, max): 0.625W. RoHS: ja. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92 (ammo pak). Typ av transistor: NPN. Vcbo: 300V. Mättnadsspänning VCE(lat): 500mV. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 300V. Vebo: 6V. Antal per fodral: 1. Spec info: komplementär transistor (par) MPSA92. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

Kostnad): 7pF. Halvledarmaterial: kisel. FT: 50 MHz. Funktion: VIDEO förstärkare.. Max hFE-förstärkning: 50. Minsta hFE-förstärkning: 40. Kollektorström: 0.3A. Ekvivalenta: KSP44, CMPSA44. Pd (effektförlust, max): 0.625W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92 (ammo pak). Typ av transistor: NPN. Vcbo: 500V. Mättnadsspänning VCE(lat): 400mV. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 750mV. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 400V. Vebo: 6V. Antal per fodral: 1. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

Halvledarmaterial: kisel. FT: 50 MHz. Funktion: NF-TR. Minsta hFE-förstärkning: 100. Kollektorström: 0.5A. Ic(puls): 1A. Pd (effektförlust, max): 0.625W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92AMMO. Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vcbo: 80V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 0.25V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 80V. Antal per fodral: 1. Spec info: komplementär transistor (par) MPSA06. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

RoHS: ja. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-92. Kapsling (JEDEC-standard): TO-226AA. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: MPSA56. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 80V. Samlarström Ic [A], max.: 500mA. Gränsfrekvens ft [MHz]: 50 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.625W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Komponentfamilj: PNP transistor

Darlington-transistor?: ja. Halvledarmaterial: kisel. FT: 125 MHz. Max hFE-förstärkning: 20000. Minsta hFE-förstärkning: 5000. Kollektorström: 0.5A. Pd (effektförlust, max): 0.625W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vcbo: 30 v. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.5V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 30 v. Vebo: 10V. Antal per fodral: 2. Antal terminaler: 3. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

Halvledarmaterial: kisel. FT: 50 MHz. Funktion: Högspänningstransistor. Max hFE-förstärkning: 40. Minsta hFE-förstärkning: 25. Kollektorström: 0.5A. Pd (effektförlust, max): 0.625W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92 ( Ammo Pack ). Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vcbo: 300V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.5V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 300V. Vebo: 5V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Konditioneringsenhet: 2000. Spec info: komplementär transistor (par) MPSA42. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

RoHS: NINCS. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-92. Kapsling (JEDEC-standard): TO-226AA. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: MPSH10. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 25V. Samlarström Ic [A], max.: 5mA. Gränsfrekvens ft [MHz]: 650 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.35W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Komponentfamilj: NPN-transistor