Transistorer

C(tum): 9pF. Kostnad): 6pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 30MHz. Funktion: ljudeffektförstärkare. Max hFE-förstärkning: 150. Minsta hFE-förstärkning: 75. Kollektorström: 15A. Ic(puls): 30A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 200W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hölje (enligt datablad): TO-3P. Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -65...+150°C. Vcbo: 250V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.4V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 250V. Vebo: 5V. Spec info: komplementär transistor (par) NJW3281. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

RoHS: ja. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-3P. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: NJW21193G. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 250V. Samlarström Ic [A], max.: 16A. Maximal förlust Ptot [W]: 200W. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

C(tum): 9pF. Kostnad): 6pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 30 MHz. Funktion: ljudeffektförstärkare. Produktionsdatum: 201452 201512. Max hFE-förstärkning: 150. Minsta hFE-förstärkning: 45. Kollektorström: 15A. Ic(puls): 30A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 200W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hölje (enligt datablad): TO-3P. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+150°C. Vcbo: 250V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.4V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 250V. Vebo: 5V. Spec info: komplementär transistor (par) NJW1302. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

C(tum): 6400pF. Kostnad): 465pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 42 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Ultra Low On-Resistance. Id(imp): 328A. ID (T=25°C): 82A. Idss (max): 1uA. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: 82N055. Temperatur: +175°C. Pd (effektförlust, max): 142W. Resistans Rds På: 4.1m Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 72 ns. Td(på): 40 ns. Teknik: MOSFET transistor. Hölje: D2PAK ( TO-263 ). Hölje (enligt datablad): MP-25ZP. Spänning Vds(max): 55V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Antal terminaler: 2. Antal per fodral: 1. Konditioneringsenhet: 900. Spec info: MOSFET transistor. G-S Skydd: NINCS

C(tum): 707pF. Kostnad): 224pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 42 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 60A. ID (T=100°C): 10A. ID (T=25°C): 20A. Idss (max): 10uA. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: 20N6LG. Pd (effektförlust, max): 60W. Resistans Rds På: 0.039 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 25 ns. Td(på): 9.6 ns. Hölje: D-PAK ( TO-252 ). Hölje (enligt datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Driftstemperatur: -55...+175°C. Spänning Vds(max): 60V. Port-/källspänning Vgs: 15V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Antal terminaler: 2. Spec info: IDM--60A pulse/10uS. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: D-PAK. Kapsling (JEDEC-standard): TO-252. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: 20N06LG. Drain-source spänning Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 20A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.048 Ohms @ 10A. Gate haverispänning Ugs [V]: 2V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 20 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 50 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 990pF. Maximal förlust Ptot [W]: 60W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +175°C

RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, P-MOS. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: D-PAK. Kapsling (JEDEC-standard): TO-252. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: 20P06LG. Drain-source spänning Uds [V]: -60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -15.5A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.15 Ohms @ -7.5A. Gate haverispänning Ugs [V]: -2V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 20 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 50 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 1190pF. Maximal förlust Ptot [W]: 65W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +175°C

C(tum): 500pF. Kostnad): 150pF. Kanaltyp: P. Trr-diod (Min.): 50 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 18A. ID (T=25°C): 12A. Idss (max): 100uA. IDss (min): 10uA. Märkning på höljet: NT2955. Pd (effektförlust, max): 55W. Resistans Rds På: 0.155 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 26 ns. Td(på): 10 ns. Teknik: Power MOSFET. Hölje: TO-251 ( I-Pak ). Hölje (enligt datablad): TO-251 ( I-Pak ). Driftstemperatur: -55...+175°C. Spänning Vds(max): 60V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Antal per fodral: 1. Spec info: ID pulse 36A/10ms. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, P-MOS. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: D-PAK. Kapsling (JEDEC-standard): TO-252. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: NT2955G. Drain-source spänning Uds [V]: -60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -12A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.18 Ohms @ -6A. Gate haverispänning Ugs [V]: -4V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 20 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 40 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 750pF. Maximal förlust Ptot [W]: 55W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +175°C

C(tum): 500pF. Kostnad): 150pF. Kanaltyp: P. Avloppsskydd: Zenerdiod. Trr-diod (Min.): 50us. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 36A. ID (T=25°C): 12A. Idss (max): 100uA. IDss (min): 10uA. Märkning på höljet: NT2955. Pd (effektförlust, max): 55W. Resistans Rds På: 0.155 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 26 ns. Td(på): 10 ns. Teknik: Power MOSFET. Hölje: D-PAK ( TO-252 ). Hölje (enligt datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Driftstemperatur: -55...+175°C. Spänning Vds(max): 60V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. Antal terminaler: 2. Funktion: ID pulse 36A/10ms. Antal per fodral: 1. G-S Skydd: NINCS

Kanaltyp: N. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 45A. ID (T=25°C): 12A. Idss (max): 12A. Pd (effektförlust, max): 48W. Resistans Rds På: 0.084 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Teknik: Power MOSFET. Hölje: D-PAK ( TO-252 ). Hölje (enligt datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ) ( DPAK-5 ). Spänning Vds(max): 60V. Funktion: ID pulse 45A/10us. Antal per fodral: 1. obs: screentryck/SMD-kod 55094G

Kanaltyp: N. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 27A. ID (T=25°C): 9A. Idss (max): 9A. Pd (effektförlust, max): 29W. Resistans Rds På: 0.122 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Teknik: Power MOSFET. Hölje: D-PAK ( TO-252 ). Hölje (enligt datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ) ( DPAK-5 ). Spänning Vds(max): 60V. Funktion: ID pulse 27A/10us. Antal per fodral: 1. obs: screentryck/SMD-kod 3150G

Kanaltyp: N. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 45A. ID (T=25°C): 12A. Idss (max): 12A. Pd (effektförlust, max): 48W. Resistans Rds På: 0.089 Ohms. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: Power MOSFET. Hölje: TO-251 ( I-Pak ). Hölje (enligt datablad): TO-251 ( I-Pak ). Spänning Vds(max): 60V. obs: 55L104G. Funktion: logisk nivå, ID-puls 45A/10us. Antal per fodral: 1

C(tum): 316pF. Kostnad): 105pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 35 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 45A. ID (T=25°C): 12A. Idss (max): 10uA. IDss (min): 1uA. Pd (effektförlust, max): 48W. Resistans Rds På: 0.089 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 19 ns. Td(på): 9.2 ns. Teknik: Power MOSFET. Hölje: D-PAK ( TO-252 ). Hölje (enligt datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ) ( DPAK-5 ). Spänning Vds(max): 60V. Port-/källspänning Vgs: 15V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Funktion: logisk nivå, ID-puls 45A/10us. Antal per fodral: 1. obs: screentryck/SMD-kod 55L104G. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: D-PAK. Kapsling (JEDEC-standard): TO-252. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: 55L104G. Drain-source spänning Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 12A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.104 Ohms @ 6A. Gate haverispänning Ugs [V]: 2V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 20 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 40 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 440pF. Maximal förlust Ptot [W]: 48W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +175°C

C(tum): 4490pF. Kostnad): 952pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 34 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 230A. ID (T=100°C): 96A. ID (T=25°C): 124A. Idss (max): 10uA. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: 4804NG. Pd (effektförlust, max): 107W. Resistans Rds På: 3.4M Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 24 ns. Td(på): 18 ns. Teknik: Power MOSFET. Hölje: D-PAK ( TO-252 ). Hölje (enligt datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Driftstemperatur: -55...+175°C. Spänning Vds(max): 30 v. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.5V. Vgs(th) min.: 1.5V. Antal terminaler: 2. Antal per fodral: 1. obs: screentryck/SMD-kod 4804NG. Spec info: ID pulse 230A. G-S Skydd: NINCS

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 2.5 MHz. Max hFE-förstärkning: 70. Minsta hFE-förstärkning: 20. Kollektorström: 15A. obs: hFE 20...70. obs: komplementär transistor (par) NTE219. Temperatur: +200°C. Pd (effektförlust, max): 115W. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+200°C. Vcbo: 100V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.1V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 3.3V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 60V. Vebo: 7V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 2.5 MHz. Max hFE-förstärkning: 70. Minsta hFE-förstärkning: 20. Kollektorström: 15A. obs: hFE 20...70. obs: komplementär transistor (par) NTE219. Temperatur: +200°C. Pd (effektförlust, max): 115W. Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -65...+200°C. Vcbo: 100V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.1V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 3.3V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 60V. Vebo: 7V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

C(tum): 510pF. Kostnad): 200pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 20 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 20A. ID (T=25°C): 5.1A. Idss (max): 25uA. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: 446. Pd (effektförlust, max): 2W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 35 ns. Td(på): 9 ns. Teknik: Power MOSFET. Hölje: TSOP. Hölje (enligt datablad): TSOP-6. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 20V. Port-/källspänning Vgs: 12V. Vgs(th) min.: 0.6V. Antal terminaler: 6. Funktion: Applikationer för litiumjonbatterier, bärbar dator. Antal per fodral: 1. Konditioneringsenhet: 3000. Resistans Rds På: 0.036 Ohms. Spec info: Grindstyrning med logiknivå. G-S Skydd: NINCS

C(tum): 4416pF. Kostnad): 296pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 28 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 472A. ID (T=100°C): 83A. ID (T=25°C): 118A. Idss (max): 250uA. IDss (min): 100uA. Pd (effektförlust, max): 503W. Resistans Rds På: 0.02 Ohms. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 55 ns. Td(på): 40 ns. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247-3L, CASE 340CX. Driftstemperatur: -55...+175°C. Spänning Vds(max): 900V. Port-/källspänning Vgs: 19V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Antal terminaler: 3. Teknik: MOSFET – SiC Power, Single N-Channel. Funktion: UPS, DC/DC-omvandlare, Boost-inverterare. Spec info: IDSC--854A, TA=25°C, tp=10us, RG=4.7ohm. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

Kanaltyp: N. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 108A. ID (T=100°C): 38A. ID (T=25°C): 53A. Idss (max): 53A. Märkning på höljet: 4744N. Antal terminaler: 8. Pd (effektförlust, max): 47W. Resistans Rds På: 7.6m Ohms. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Teknik: Power MOSFET. Hölje: SO. Hölje (enligt datablad): SO-8FL. Spänning Vds(max): 30 v. Funktion: ID pulse 108A/10ms. Antal per fodral: 1. obs: screentryck/SMD-kod 4744N

Kanaltyp: N. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 288A. ID (T=100°C): 138A. ID (T=25°C): 191A. Idss (max): 191A. Märkning på höljet: 4833N. Antal terminaler: 8. Pd (effektförlust, max): 114W. Resistans Rds På: 1.3M Ohms. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Teknik: Power MOSFET. Hölje: SO. Hölje (enligt datablad): SO-8FL. Spänning Vds(max): 30 v. Funktion: ID pulse 288A/10ms. Antal per fodral: 1. obs: screentryck/SMD-kod 4833N

Kanaltyp: N. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 208A. ID (T=100°C): 75A. ID (T=25°C): 104A. Idss (max): 104A. Märkning på höljet: 4835N. Antal terminaler: 8. Pd (effektförlust, max): 63W. Resistans Rds På: 2.9m Ohms. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Teknik: Power MOSFET. Hölje: SO. Hölje (enligt datablad): SO-8FL. Spänning Vds(max): 30 v. Funktion: ID pulse 208A/10ms. Antal per fodral: 1. obs: screentryck/SMD-kod 4835N

Kostnad): 135pF. Antal per fodral: 1. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: Gjord för Grundig. Kollektorström: 8A. Pd (effektförlust, max): 34W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: SOT-199. Hölje (enligt datablad): SOT-199. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 700V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS