MJW21196

Kvantitet	exkl. moms	moms incl.
1 - 1	81.54kr	101.93kr
2 - 2	77.46kr	96.83kr
3 - 4	73.39kr	91.74kr
5 - 9	69.31kr	86.64kr
10 - 19	67.68kr	84.60kr
20 - 29	66.05kr	82.56kr
30+	63.60kr	79.50kr

Kvantitet	U.P
1 - 1	81.54kr	101.93kr
2 - 2	77.46kr	96.83kr
3 - 4	73.39kr	91.74kr
5 - 9	69.31kr	86.64kr
10 - 19	67.68kr	84.60kr
20 - 29	66.05kr	82.56kr
30+	63.60kr	79.50kr

Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!

Slut i lager

Set med 1

MJW21196. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 4 MHz. Funktion: Utmärkt förstärkningslinjäritet. Max hFE-förstärkning: 80. Minsta hFE-förstärkning: 20. Kollektorström: 16A. Ic(puls): 30A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 200W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+150°C. Vcbo: 250V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 400V. Vebo: 5V. Spec info: komplementär transistor (par) MJW21195. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS. Antal i lager uppdaterad den 15/01/2025, 00:25.

Teknisk dokumentation

Information och teknisk hjälp

Via telefon :

Via e-post

Försäljningsvillkor

Betalning och leverans

Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!