MJW1302AG

Kvantitet	exkl. moms	moms incl.
1 - 1	84.47kr	105.59kr
2 - 2	80.25kr	100.31kr
3 - 4	76.03kr	95.04kr
5 - 9	71.80kr	89.75kr
10 - 19	70.11kr	87.64kr
20 - 29	68.42kr	85.53kr
30 - 57	65.89kr	82.36kr

Kvantitet	U.P
1 - 1	84.47kr	105.59kr
2 - 2	80.25kr	100.31kr
3 - 4	76.03kr	95.04kr
5 - 9	71.80kr	89.75kr
10 - 19	70.11kr	87.64kr
20 - 29	68.42kr	85.53kr
30 - 57	65.89kr	82.36kr

Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!

Antal i lager : 57

Set med 1

MJW1302AG. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 30 MHz. Funktion: Kompletterande bipolär krafttransistor. Produktionsdatum: 201446. Max hFE-förstärkning: 200. Minsta hFE-förstärkning: 50. Kollektorström: 15A. Ic(puls): 25A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 200W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247. Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -65...+150°C. Vcbo: 230V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.4V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 230V. Vebo: 5V. Teknik: Power bipolär transistor. Spec info: komplementär transistor (par) MJW3281A. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS. Antal i lager uppdaterad den 13/01/2025, 03:25.

Teknisk dokumentation

Information och teknisk hjälp

Via telefon :

Via e-post

Försäljningsvillkor

Betalning och leverans

Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!