MMBT2907ALT1G

Kvantitet (Set med 10)	exkl. moms	moms incl.
1 - 4	6.06kr	7.58kr
5 - 9	5.76kr	7.20kr
10 - 24	5.46kr	6.83kr
25 - 49	5.15kr	6.44kr
50 - 99	4.85kr	6.06kr
100 - 111	4.55kr	5.69kr

Kvantitet (Set med 10)	U.P
1 - 4	6.06kr	7.58kr
5 - 9	5.76kr	7.20kr
10 - 24	5.46kr	6.83kr
25 - 49	5.15kr	6.44kr
50 - 99	4.85kr	6.06kr
100 - 111	4.55kr	5.69kr

Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!

Antal i lager : 1110

Set med 10

MMBT2907ALT1G. Kostnad): 1.6pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 200 MHz. Max hFE-förstärkning: 300. Minsta hFE-förstärkning: 100. Kollektorström: 0.6A. Ic(puls): 1.2A. Märkning på höljet: 2F. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 225mW. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Hölje: SOT-23 ( TO-236 ). Hölje (enligt datablad): SOT-23 ( TO236 ). Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vcbo: 60V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.4V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 60V. Vebo: 5V. Spec info: SMD '2F'. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS. Antal i lager uppdaterad den 15/01/2025, 06:25.

Teknisk dokumentation

Information och teknisk hjälp

Via telefon :

Via e-post

Försäljningsvillkor

Betalning och leverans

Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!