Kvantitet (Set med 10) | exkl. moms | moms incl. |
---|---|---|
1 - 4 | 4.32kr | 5.40kr |
5 - 9 | 4.10kr | 5.13kr |
10 - 24 | 3.89kr | 4.86kr |
25 - 49 | 3.67kr | 4.59kr |
50 - 99 | 3.46kr | 4.33kr |
100 - 149 | 3.24kr | 4.05kr |
150 - 1541 | 3.02kr | 3.78kr |
Kvantitet (Set med 10) | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 4.32kr | 5.40kr |
5 - 9 | 4.10kr | 5.13kr |
10 - 24 | 3.89kr | 4.86kr |
25 - 49 | 3.67kr | 4.59kr |
50 - 99 | 3.46kr | 4.33kr |
100 - 149 | 3.24kr | 4.05kr |
150 - 1541 | 3.02kr | 3.78kr |
MMBT5551. Konditioneringsenhet: 3000. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 100 MHz. Max hFE-förstärkning: 250. Minsta hFE-förstärkning: 60. Kollektorström: 0.6A. Märkning på höljet: G1. Ekvivalenta: MMBT5551LT1G. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 300mW. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Hölje: SOT-23 ( TO-236 ). Hölje (enligt datablad): SOT-23 ( TO236 ). Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vcbo: 180V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.15V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 160V. Vebo: 6V. Spec info: screentryck/SMD-kod G1 (3S Fairchild). BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS. Antal i lager uppdaterad den 12/01/2025, 14:25.
Information och teknisk hjälp
Betalning och leverans
Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!
Alla rättigheter förbehållna, RPtronics, 2024.