MTY100N10E

Kvantitet	exkl. moms	moms incl.
1 - 1	187.94kr	234.93kr
2 - 2	178.54kr	223.18kr
3 - 4	169.15kr	211.44kr
5 - 9	159.75kr	199.69kr
10 - 14	155.99kr	194.99kr
15 - 19	152.23kr	190.29kr
20 - 117	146.59kr	183.24kr

Kvantitet	U.P
1 - 1	187.94kr	234.93kr
2 - 2	178.54kr	223.18kr
3 - 4	169.15kr	211.44kr
5 - 9	159.75kr	199.69kr
10 - 14	155.99kr	194.99kr
15 - 19	152.23kr	190.29kr
20 - 117	146.59kr	183.24kr

Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!

Antal i lager : 117

Set med 1

MTY100N10E. RoHS: NINCS. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-264. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: MTY100N10E. Drain-source spänning Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 100A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.011 Ohms @ 50A. Gate haverispänning Ugs [V]: 4 v. Inkopplingstid ton [nsec.]: 96 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 372 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 10640pF. Maximal förlust Ptot [W]: 300W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Antal i lager uppdaterad den 15/01/2025, 00:25.

Information och teknisk hjälp

Via telefon :

Via e-post

Försäljningsvillkor

Betalning och leverans

Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!