PHB45N03LT

PHB45N03LT. C(tum): 920pF. Kostnad): 260pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Trr-diod (Min.): 52 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Fälteffekt effekttransistor, Logisk nivåkontroll. Id(imp): 180A. ID (T=100°C): 30A. ID (T=25°C): 45A. Idss (max): 10uA. IDss (min): 0.05uA. Pd (effektförlust, max): 86W. Resistans Rds På: 0.016 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 78 ns. Td(på): 6 ns. Teknik: TrenchMOS transistor. Hölje: D2PAK ( TO-263 ). Hölje (enligt datablad): SOT-404. Driftstemperatur: -55...+175°C. Spänning Vds(max): 25V. Port-/källspänning Vgs: 15V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Antal terminaler: 2. Antal per fodral: 1. G-S Skydd: NINCS. Antal i lager uppdaterad den 14/01/2025, 13:25.