RJP30E4

Kvantitet	exkl. moms	moms incl.
1 - 1	70.88kr	88.60kr
2 - 2	67.34kr	84.18kr
3 - 4	63.80kr	79.75kr
5 - 7	60.25kr	75.31kr

Kvantitet	U.P
1 - 1	70.88kr	88.60kr
2 - 2	67.34kr	84.18kr
3 - 4	63.80kr	79.75kr
5 - 7	60.25kr	75.31kr

Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!

Antal i lager : 7

Set med 1

RJP30E4. C(tum): 85pF. Kostnad): 40pF. Kanaltyp: N. Funktion: IGBT. Kollektorström: 30A. Ic(puls): 250A. Pd (effektförlust, max): 30W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 90 ns. Td(på): 40 ns. Hölje: D2PAK ( TO-263 ). Hölje (enligt datablad): D2PAK ( TO-263 ). Driftstemperatur: -55...+150°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.6V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 360V. Grind/sändarspänning VGE: 30 v. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 2.5V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 5V. Antal terminaler: 3. Spec info: 150ns, 30W, 40A. CE-diod: NINCS. Germanium diod: NINCS. Antal i lager uppdaterad den 13/01/2025, 00:25.

Teknisk dokumentation

Information och teknisk hjälp

Via telefon :

Via e-post

Försäljningsvillkor

Betalning och leverans

Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!