N-kanals transistor, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 360V - RJP30E4

N-kanals transistor, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 360V - RJP30E4. N-kanals transistor, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 360V. Hölje: D2PAK ( TO-263 ). Hölje (enligt datablad): D2PAK ( TO-263 ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 360V. C(tum): 85pF. Kostnad): 40pF. CE-diod: NINCS. Kanaltyp: N. Funktion: IGBT. Germanium diod: NINCS. Kollektorström: 30A. Ic(puls): 250A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 30W. RoHS: ja. Spec info: 150ns, 30W, 40A. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 90 ns. Td(på): 40 ns. Driftstemperatur: -55...+150°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.6V. Grind/sändarspänning VGE: 30 v. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 2.5V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 5V. Originalprodukt från tillverkaren Renesas Technology. Antal i lager uppdaterad den 08/06/2025, 09:25.