RFP70N06

Kvantitet	exkl. moms	moms incl.
1 - 4	29.71kr	37.14kr
5 - 9	28.22kr	35.28kr
10 - 24	26.74kr	33.43kr
25 - 49	27.85kr	34.81kr
50 - 99	31.22kr	39.03kr
100 - 249	32.43kr	40.54kr
250 - 377	32.36kr	40.45kr

Kvantitet	U.P
1 - 4	29.71kr	37.14kr
5 - 9	28.22kr	35.28kr
10 - 24	26.74kr	33.43kr
25 - 49	27.85kr	34.81kr
50 - 99	31.22kr	39.03kr
100 - 249	32.43kr	40.54kr
250 - 377	32.36kr	40.45kr

Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!

Antal i lager : 377

Set med 1

RFP70N06. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220AB. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: RFP70N06. Drain-source spänning Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 70A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.014 Ohms @ 70A. Gate haverispänning Ugs [V]: 4 v. Inkopplingstid ton [nsec.]: 10 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 32 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 2250pF. Maximal förlust Ptot [W]: 150W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 32 ns. Td(på): 10 ns. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Driftstemperatur: -55...+175°C. Spänning Vds(max): 60V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +175°C. Kapsling (JEDEC-standard): 50. Teknik: MegaFET process, Power MOSFET. Spec info: Temperaturkompenserad PSPICE®-modell. Antal i lager uppdaterad den 13/01/2025, 20:25.

Teknisk dokumentation

Information och teknisk hjälp

Via telefon :

Via e-post

Försäljningsvillkor

Betalning och leverans

Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!