RJH30H2DPK-M0

Kvantitet	exkl. moms	moms incl.
1 - 1	150.67kr	188.34kr
2 - 2	143.13kr	178.91kr
3 - 4	135.60kr	169.50kr
5 - 9	128.07kr	160.09kr
10 - 14	125.05kr	156.31kr
15 - 19	122.04kr	152.55kr
20 - 48	117.52kr	146.90kr

Kvantitet	U.P
1 - 1	150.67kr	188.34kr
2 - 2	143.13kr	178.91kr
3 - 4	135.60kr	169.50kr
5 - 9	128.07kr	160.09kr
10 - 14	125.05kr	156.31kr
15 - 19	122.04kr	152.55kr
20 - 48	117.52kr	146.90kr

Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!

Antal i lager : 48

Set med 1

RJH30H2DPK-M0. C(tum): 1200pF. Kostnad): 80pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 23 ns. Kompatibilitet: Samsung PS42C450B1WXXU. Funktion: Höghastighetsströmbrytare. Kollektorström: 35A. Ic(puls): 250A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 60W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 0.06 ns. Td(på): 0.02 ns. Teknik: Trench gate and thin wafer technology G6H-II ser. Hölje: TO-3PN ( 2-16C1B ). Hölje (enligt datablad): TO-3PSG. Driftstemperatur: -55...+150°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.4V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 1.9V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 300V. Grind/sändarspänning VGE: 30 v. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 2.5V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 5V. Spec info: trr 0.06us. CE-diod: ja. Germanium diod: NINCS. Antal i lager uppdaterad den 13/01/2025, 20:25.

Teknisk dokumentation

Information och teknisk hjälp

Via telefon :

Via e-post

Försäljningsvillkor

Betalning och leverans

Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!