RFP50N06

RFP50N06. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220AB. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: RFP50N06. Drain-source spänning Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 50A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.022 Ohms @ 50A. Gate haverispänning Ugs [V]: 4 v. Inkopplingstid ton [nsec.]: 12 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 37 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 2020pF. Maximal förlust Ptot [W]: 131W. Resistans Rds På: 0.022 Ohms. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 37 ns. Td(på): 12 ns. Teknik: Power MOSFET. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Driftstemperatur: -55...+175°C. Spänning Vds(max): 60V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +175°C. Kapsling (JEDEC-standard): 50. Antal i lager uppdaterad den 13/01/2025, 00:25.