IGBT transistor SGW30N60HS

IGBT transistor SGW30N60HS. IGBT transistor. RoHS: ja. Komponentfamilj: IGBT transistor. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-247AC. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: G30N60HS. Kollektor-emitterspänning Uce [V]: 600V. Collector Current IC [A]: 41A. Maximal kollektorström (A): 112A. Inkopplingstid ton [nsec.]: 16 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 122 ns. Gate haverispänning Ugs [V]: 5V. Maximal förlust Ptot [W]: 250W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Kapsling (JEDEC-standard): plaströr. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 106 ns. Td(på): 16 ns. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247AC. Driftstemperatur: -55...+150°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 2.9V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 3V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 5V. Originalprodukt från tillverkaren Infineon Technologies. Antal i lager uppdaterad den 08/06/2025, 03:25.