SGW30N60HS

Kvantitet	exkl. moms	moms incl.
1 - 1	116.85kr	146.06kr
2 - 2	111.01kr	138.76kr
3 - 4	105.17kr	131.46kr
5 - 9	99.33kr	124.16kr
10 - 14	81.86kr	102.33kr
15 - 19	79.89kr	99.86kr
20 - 71	76.93kr	96.16kr

Kvantitet	U.P
1 - 1	116.85kr	146.06kr
2 - 2	111.01kr	138.76kr
3 - 4	105.17kr	131.46kr
5 - 9	99.33kr	124.16kr
10 - 14	81.86kr	102.33kr
15 - 19	79.89kr	99.86kr
20 - 71	76.93kr	96.16kr

Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!

Antal i lager : 71

Set med 1

SGW30N60HS. RoHS: ja. Komponentfamilj: IGBT transistor. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-247AC. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: G30N60HS. Kollektor-emitterspänning Uce [V]: 600V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 16 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 122 ns. Gate haverispänning Ugs [V]: 5V. Maximal förlust Ptot [W]: 250W. Maximal kollektorström (A): 112A. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Kapsling (JEDEC-standard): plaströr. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 106 ns. Td(på): 16 ns. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247AC. Driftstemperatur: -55...+150°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 2.9V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 3V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 5V. Antal i lager uppdaterad den 13/01/2025, 08:25.

Teknisk dokumentation

Information och teknisk hjälp

Via telefon :

Via e-post

Försäljningsvillkor

Betalning och leverans

Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!