Elektroniska komponenter och utrustning, för företag och privatpersoner

N-kanals transistor, 30A, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 600V - SGH30N60RUFD

N-kanals transistor, 30A, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 600V - SGH30N60RUFD
[TITLE]
[TITLE]
[TITLE]
Kvantitet exkl. moms moms incl.
1 - 1 62.19kr 77.74kr
2 - 2 59.08kr 73.85kr
3 - 4 57.21kr 71.51kr
5 - 9 55.97kr 69.96kr
10 - 19 54.73kr 68.41kr
20 - 29 52.86kr 66.08kr
30 - 44 51.00kr 63.75kr
Kvantitet U.P
1 - 1 62.19kr 77.74kr
2 - 2 59.08kr 73.85kr
3 - 4 57.21kr 71.51kr
5 - 9 55.97kr 69.96kr
10 - 19 54.73kr 68.41kr
20 - 29 52.86kr 66.08kr
30 - 44 51.00kr 63.75kr
Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!
Antal i lager : 44
Set med 1

N-kanals transistor, 30A, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 600V - SGH30N60RUFD. N-kanals transistor, 30A, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 600V. Ic(T=100°C): 30A. Hölje: TO-3PN ( 2-16C1B ). Hölje (enligt datablad): TO-3PN. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. C(tum): 1970pF. Kostnad): 310pF. CE-diod: ja. Kanaltyp: N. Konditionering: plaströr. Konditioneringsenhet: 30. Trr-diod (Min.): 50 ns. Funktion: High Speed ​​​​IGBT. Germanium diod: NINCS. Kollektorström: 48A. Ic(puls): 90A. Märkning på höljet: G30N60RUFD. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 235W. RoHS: ja. Spec info: Ic 48A @ 25°C, 30A @ 110°C, Icm 90A (pulsed). Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 54 ns. Td(på): 30 ns. Driftstemperatur: -55...+150°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 2.2V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 5V. Originalprodukt från tillverkaren Fairchild. Antal i lager uppdaterad den 08/06/2025, 11:25.

Vi rekommenderar även :

Vi rekommenderar även :

Information och teknisk hjälp

Via telefon :

Betalning och leverans

Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!

Prenumerera på nyhetsbrevet

Jag samtycker till att ta emot e-postmeddelanden och jag förstår att jag kan avsluta prenumerationen när som helst efter registrering.

Alla rättigheter förbehållna, RPtronics, 2024.