SGH30N60RUFD

Kvantitet	exkl. moms	moms incl.
1 - 1	62.19kr	77.74kr
2 - 2	59.08kr	73.85kr
3 - 4	55.97kr	69.96kr
5 - 9	52.86kr	66.08kr
10 - 19	51.62kr	64.53kr
20 - 29	50.37kr	62.96kr
30 - 44	48.51kr	60.64kr

Kvantitet	U.P
1 - 1	62.19kr	77.74kr
2 - 2	59.08kr	73.85kr
3 - 4	55.97kr	69.96kr
5 - 9	52.86kr	66.08kr
10 - 19	51.62kr	64.53kr
20 - 29	50.37kr	62.96kr
30 - 44	48.51kr	60.64kr

Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!

Antal i lager : 44

Set med 1

SGH30N60RUFD. C(tum): 1970pF. Kostnad): 310pF. Kanaltyp: N. Konditioneringsenhet: 30. Trr-diod (Min.): 50 ns. Funktion: High Speed IGBT. Kollektorström: 48A. Ic(puls): 90A. Ic(T=100°C): 30A. Märkning på höljet: G30N60RUFD. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 235W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 54 ns. Td(på): 30 ns. Hölje: TO-3PN ( 2-16C1B ). Hölje (enligt datablad): TO-3PN. Driftstemperatur: -55...+150°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 2.2V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 5V. Spec info: Ic 48A @ 25°C, 30A @ 110°C, Icm 90A (pulsed). CE-diod: ja. Germanium diod: NINCS. Antal i lager uppdaterad den 13/01/2025, 00:25.

Teknisk dokumentation

Information och teknisk hjälp

Via telefon :

Via e-post

Försäljningsvillkor

Betalning och leverans

Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!