Kvantitet | exkl. moms | moms incl. |
---|---|---|
1 - 4 | 12.81kr | 16.01kr |
5 - 9 | 12.17kr | 15.21kr |
10 - 24 | 11.53kr | 14.41kr |
25 - 49 | 10.89kr | 13.61kr |
50 - 56 | 10.64kr | 13.30kr |
Kvantitet | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 12.81kr | 16.01kr |
5 - 9 | 12.17kr | 15.21kr |
10 - 24 | 11.53kr | 14.41kr |
25 - 49 | 10.89kr | 13.61kr |
50 - 56 | 10.64kr | 13.30kr |
SI9407BDY. C(tum): 600pF. Kostnad): 70pF. Kanaltyp: P. Trr-diod (Min.): 30 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 30A. ID (T=100°C): 3.8A. ID (T=25°C): 4.7A. Idss (max): 10nA. IDss (min): 1nA. Antal terminaler: 8. Pd (effektförlust, max): 3.2W. Resistans Rds På: 0.10 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 35 ns. Td(på): 10 ns. Teknik: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET. Hölje: SO. Hölje (enligt datablad): SO-8. Driftstemperatur: -55...+175°C. Spänning Vds(max): 60V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1V. Antal per fodral: 1. G-S Skydd: NINCS. Antal i lager uppdaterad den 13/01/2025, 15:25.
Information och teknisk hjälp
Betalning och leverans
Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!
Alla rättigheter förbehållna, RPtronics, 2024.