SI4532CDY-T1-GE3

Kvantitet	exkl. moms	moms incl.
1 - 4	14.99kr	18.74kr
5 - 9	14.24kr	17.80kr
10 - 24	13.49kr	16.86kr
25 - 49	12.74kr	15.93kr
50 - 99	12.44kr	15.55kr
100 - 249	8.05kr	10.06kr
250 - 1338	7.65kr	9.56kr

Kvantitet	U.P
1 - 4	14.99kr	18.74kr
5 - 9	14.24kr	17.80kr
10 - 24	13.49kr	16.86kr
25 - 49	12.74kr	15.93kr
50 - 99	12.44kr	15.55kr
100 - 249	8.05kr	10.06kr
250 - 1338	7.65kr	9.56kr

Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!

Antal i lager : 1338

Set med 1

SI4532CDY-T1-GE3. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS, P-MOS. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SO8. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 8. Tillverkarens märkning: SI4532CDY-T1-E3. Drain-source spänning Uds [V]: 30V/-30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 5.2A/-3.4A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.065 Ohms/0.14 Ohms @ 5.2/-3.4A. Gate haverispänning Ugs [V]: 4.5V/-4.5V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 11 ns/10 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 25/30 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 305/340pF. Maximal förlust Ptot [W]: 1.14W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Antal i lager uppdaterad den 13/01/2025, 15:25.

Teknisk dokumentation

Information och teknisk hjälp

Via telefon :

Via e-post

Försäljningsvillkor

Betalning och leverans

Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!