Kvantitet | exkl. moms | moms incl. |
---|---|---|
1 - 4 | 52.60kr | 65.75kr |
5 - 9 | 49.97kr | 62.46kr |
10 - 24 | 47.34kr | 59.18kr |
25 - 49 | 44.71kr | 55.89kr |
50 - 53 | 43.66kr | 54.58kr |
Kvantitet | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 52.60kr | 65.75kr |
5 - 9 | 49.97kr | 62.46kr |
10 - 24 | 47.34kr | 59.18kr |
25 - 49 | 44.71kr | 55.89kr |
50 - 53 | 43.66kr | 54.58kr |
SPP11N60S5. C(tum): 1460pF. Kostnad): 610pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Trr-diod (Min.): 650ms. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: "Extrem dv/dt-klassad Ultralåg grindladdning". Id(imp): 22A. ID (T=100°C): 7A. ID (T=25°C): 11A. Idss (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Märkning på höljet: 11N60S5. Pd (effektförlust, max): 125W. Resistans Rds På: 0.34 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 150 ns. Td(på): 130 ns. Teknik: Cool Mos POWER transistor. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220-3-1. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 600V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 3.5V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. G-S Skydd: NINCS. Antal i lager uppdaterad den 13/01/2025, 09:25.
Information och teknisk hjälp
Betalning och leverans
Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!
Alla rättigheter förbehållna, RPtronics, 2024.