STF11NM60ND

Kvantitet	exkl. moms	moms incl.
1 - 4	48.08kr	60.10kr
5 - 9	45.68kr	57.10kr
10 - 19	43.27kr	54.09kr

Kvantitet	U.P
1 - 4	48.08kr	60.10kr
5 - 9	45.68kr	57.10kr
10 - 19	43.27kr	54.09kr

Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!

Antal i lager : 19

Set med 1

STF11NM60ND. C(tum): 850pF. Kostnad): 44pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 130 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: LOW INPUT CAPACITANCE, RESISTANCE AND GATE CHARGE. Id(imp): 40A. ID (T=100°C): 6.3A. ID (T=25°C): 10A. Idss (max): 100uA. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: 11NM60ND. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 25W. Resistans Rds På: 0.37 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 50 ns. Td(på): 16 ns. Teknik: MDmesh II POWER MOSFET. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220FP. Spänning Vds(max): 600V. Port-/källspänning Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Konditioneringsenhet: 50. Spec info: HIGH dv/dt AND AVALANCHE CAPABILITIES. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS. Antal i lager uppdaterad den 13/01/2025, 02:25.

Teknisk dokumentation

Information och teknisk hjälp

Via telefon :

Via e-post

Försäljningsvillkor

Betalning och leverans

Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!