Elektroniska komponenter och utrustning, för företag och privatpersoner

N-kanals transistor, 6.3A, 10A, 100uA, 0.37 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V - STF11NM60ND

N-kanals transistor, 6.3A, 10A, 100uA, 0.37 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V - STF11NM60ND
[TITLE]
[TITLE]
[TITLE]
Kvantitet exkl. moms moms incl.
1 - 4 48.08kr 60.10kr
5 - 9 45.68kr 57.10kr
10 - 17 43.27kr 54.09kr
Kvantitet U.P
1 - 4 48.08kr 60.10kr
5 - 9 45.68kr 57.10kr
10 - 17 43.27kr 54.09kr
Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!
Antal i lager : 17
Set med 1

N-kanals transistor, 6.3A, 10A, 100uA, 0.37 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V - STF11NM60ND. N-kanals transistor, 6.3A, 10A, 100uA, 0.37 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V. ID (T=100°C): 6.3A. ID (T=25°C): 10A. Idss (max): 100uA. Resistans Rds På: 0.37 Ohms. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220FP. Spänning Vds(max): 600V. C(tum): 850pF. Kostnad): 44pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 130 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: LOW INPUT CAPACITANCE, RESISTANCE AND GATE CHARGE. Id(imp): 40A. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: 11NM60ND. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 25W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 50 ns. Td(på): 16 ns. Teknik: MDmesh II POWER MOSFET. Port-/källspänning Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Konditioneringsenhet: 50. Spec info: HIGH dv/dt AND AVALANCHE CAPABILITIES. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS. Antal i lager uppdaterad den 20/04/2025, 20:25.

Information och teknisk hjälp

Via telefon :

Betalning och leverans

Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!

Prenumerera på nyhetsbrevet

Jag samtycker till att ta emot e-postmeddelanden och jag förstår att jag kan avsluta prenumerationen när som helst efter registrering.

Alla rättigheter förbehållna, RPtronics, 2024.