STP11NM80

STP11NM80. C(tum): 1630pF. Kostnad): 750pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Trr-diod (Min.): 612 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: LOW INPUT CAPACITANCE, RESISTANCE AND GATE CHARGE. Id(imp): 44A. ID (T=100°C): 4.7A. ID (T=25°C): 11A. Idss (max): 100uA. IDss (min): 10uA. Märkning på höljet: P11NM80. Pd (effektförlust, max): 150W. Resistans Rds På: 0.35 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 46 ns. Td(på): 22 ns. Teknik: MDmesh MOSFET. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Driftstemperatur: -65...+150°C. Spänning Vds(max): 800V. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 3V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Konditioneringsenhet: 50. G-S Skydd: NINCS. Antal i lager uppdaterad den 13/01/2025, 03:25.