FDP18N50

Kvantitet	exkl. moms	moms incl.
1 - 1	59.57kr	74.46kr
2 - 2	56.59kr	70.74kr
3 - 4	53.61kr	67.01kr
5 - 9	50.64kr	63.30kr
10 - 19	49.44kr	61.80kr
20 - 25	48.25kr	60.31kr

Kvantitet	U.P
1 - 1	59.57kr	74.46kr
2 - 2	56.59kr	70.74kr
3 - 4	53.61kr	67.01kr
5 - 9	50.64kr	63.30kr
10 - 19	49.44kr	61.80kr
20 - 25	48.25kr	60.31kr

Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!

Antal i lager : 25

Set med 1

FDP18N50. C(tum): 2200pF. Kostnad): 330pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 500 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Höghastighetsväxling. Id(imp): 72A. ID (T=100°C): 10.8A. ID (T=25°C): 18A. Idss (max): 10uA. IDss (min): 1uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 235W. Resistans Rds På: 0.22 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 95 ns. Td(på): 55 ns. Teknik: N-Channel MOSFET (UniFET). Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 500V. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Spec info: Faible charge de grille (45nC typique). Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS. Antal i lager uppdaterad den 13/01/2025, 15:25.

Teknisk dokumentation

Information och teknisk hjälp

Via telefon :

Via e-post

Försäljningsvillkor

Betalning och leverans

Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!