STH8NA60FI

Kvantitet	exkl. moms	moms incl.
1 - 1	69.80kr	87.25kr
2 - 2	66.31kr	82.89kr
3 - 4	62.82kr	78.53kr
5 - 9	59.33kr	74.16kr
10 - 13	57.93kr	72.41kr

Kvantitet	U.P
1 - 1	69.80kr	87.25kr
2 - 2	66.31kr	82.89kr
3 - 4	62.82kr	78.53kr
5 - 9	59.33kr	74.16kr
10 - 13	57.93kr	72.41kr

Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!

Antal i lager : 13

Set med 1

STH8NA60FI. C(tum): 1350pF. Kostnad): 175pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Trr-diod (Min.): 600 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: snabb effekt MOSFET transistor. Id(imp): 32A. ID (T=100°C): 3.2A. ID (T=25°C): 5A. Idss (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Märkning på höljet: H8NA60FI. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 60W. Resistans Rds På: 1.5 Ohms. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 16 ns. Td(på): 20 ns. Teknik: "Förbättringsläge". Hölje: ISOWATT218FX. Hölje (enligt datablad): ISOWATT218. Spänning Vds(max): 600V. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 3.75V. Vgs(th) min.: 2.25V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. obs: Viso 4000V. G-S Skydd: NINCS. Antal i lager uppdaterad den 13/01/2025, 07:25.

Teknisk dokumentation

Information och teknisk hjälp

Via telefon :

Via e-post

Försäljningsvillkor

Betalning och leverans

Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!