STP11NM60

STP11NM60. C(tum): 1000pF. Kostnad): 230pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Trr-diod (Min.): 390 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: LOW INPUT CAPACITANCE, RESISTANCE AND GATE CHARGE. Id(imp): 44A. ID (T=100°C): 7A. ID (T=25°C): 11A. Idss (max): 10uA. IDss (min): 1uA. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 160W. Resistans Rds På: 0.4 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 6 ns. Td(på): 20 ns. Teknik: MDmesh Power MOSFET. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Spänning Vds(max): 600V. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 3V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Konditioneringsenhet: 50. Spec info: HIGH dv/dt AND AVALANCHE CAPABILITIES. G-S Skydd: NINCS. Antal i lager uppdaterad den 13/01/2025, 03:25.