STP12NM50

STP12NM50. C(tum): 1000pF. Kostnad): 250pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Trr-diod (Min.): 270 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 48A. ID (T=100°C): 7.5A. ID (T=25°C): 12A. Idss (max): 10uA. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: P12NM50. Pd (effektförlust, max): 160W. Resistans Rds På: 0.3 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(på): 20 ns. Teknik: MDmesh Power MOSFET. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Driftstemperatur: -65...+150°C. Spänning Vds(max): 550V. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Funktion: HIGH dv/dt, Low Gate Capacitance. G-S Skydd: NINCS. Antal i lager uppdaterad den 13/01/2025, 03:25.