Kvantitet | exkl. moms | moms incl. |
---|---|---|
1 - 4 | 39.44kr | 49.30kr |
5 - 9 | 37.47kr | 46.84kr |
10 - 24 | 35.50kr | 44.38kr |
25 - 49 | 33.53kr | 41.91kr |
50 - 90 | 32.74kr | 40.93kr |
Kvantitet | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 39.44kr | 49.30kr |
5 - 9 | 37.47kr | 46.84kr |
10 - 24 | 35.50kr | 44.38kr |
25 - 49 | 33.53kr | 41.91kr |
50 - 90 | 32.74kr | 40.93kr |
VNS3NV04DPTR-E. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 107ns. Typ av transistor: MOSFET. ID (T=25°C): 3.5A. Idss (max): 75uA. IDss (min): 30uA. obs: screentryck/SMD-kod S3NV04DP. Märkning på höljet: S3NV04DP. Pd (effektförlust, max): 4W. Resistans Rds På: 0.12 Ohms. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 450 ns. Td(på): 90 ns. Teknik: OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET. Hölje: SO. Hölje (enligt datablad): SO-8. Spänning Vds(max): 45V. Antal i lager uppdaterad den 12/01/2025, 14:25.
Information och teknisk hjälp
Betalning och leverans
Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!
Alla rättigheter förbehållna, RPtronics, 2024.