TK20J50D

TK20J50D. C(tum): 2600pF. Kostnad): 280pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 1700 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Byta regulatorapplikationer. Id(imp): 80A. ID (T=25°C): 20A. Idss (max): 10uA. Märkning på höljet: K20J50D. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 280W. Resistans Rds På: 0.22 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 150 ns. Td(på): 100 ns. Teknik: Fälteffekt POWER MOS-typ (MOSVII). Hölje: TO-3PN ( 2-16C1B ). Hölje (enligt datablad): TO-3P. Spänning Vds(max): 500V. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. G-S Skydd: NINCS. Antal i lager uppdaterad den 12/01/2025, 15:25.