HGTG40N60B3

Kvantitet	exkl. moms	moms incl.
1 - 1	162.40kr	203.00kr
2 - 2	154.28kr	192.85kr
3 - 4	146.16kr	182.70kr
5 - 9	138.04kr	172.55kr
10 - 14	134.79kr	168.49kr
15 - 19	131.55kr	164.44kr
20 - 30	126.67kr	158.34kr

Kvantitet	U.P
1 - 1	162.40kr	203.00kr
2 - 2	154.28kr	192.85kr
3 - 4	146.16kr	182.70kr
5 - 9	138.04kr	172.55kr
10 - 14	134.79kr	168.49kr
15 - 19	131.55kr	164.44kr
20 - 30	126.67kr	158.34kr

Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!

Antal i lager : 30

Set med 1

HGTG40N60B3. Kanaltyp: N-P. Funktion: Ic 70A @ 25°C, 40A @ 110°C, Icm 330A (pulsed). Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 290W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 170 ns. Td(på): 47 ns. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT. Driftstemperatur: -55...+150°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.4V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 3V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 6V. CE-diod: NINCS. Germanium diod: NINCS. Antal i lager uppdaterad den 18/01/2025, 02:25.

Teknisk dokumentation

Information och teknisk hjälp

Via telefon :

Via e-post

Försäljningsvillkor

Betalning och leverans

Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!